Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 5, страница 516 (Mi phts5842)  
XXV International Symposium ''Nanostructures: Physics and Technology'', Saint Petersburg, June 26-30, 2017
Nanostructure Technology

Ion synthesis: Si–Ge quantum dots

N. N. Gerasimenkoa, N. S. Balakleyskiya, A. D. Volokhovskiya, D. I. Smirnovb, O. A. Zaporozhana

a National Research University of Electronic Technology, 124498 Moscow, Russia
b Lebedev Physical Institute of the Russian Academy of Sciences, 119333 Moscow, Russia
PDF полного текста (28 kB)
Аннотация: We present a method of Si–Ge QDs formation by ion beam implantation (IBI) technique and high temperature annealing for self-organization. Implantation doses varied from 10$^{14}$ to 10$^{17}$ cm$^{-2}$, ion energies ranged from 50 to 150 keV, annealing proceeded at temperature of 950 to 1050$^\circ$C in argon environment. Formed QDs show strong infrared (IR) photoluminescence (PL) in the temperature region 15–250 K.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 15-19-10054
This work has been supported by the Russian Science Foundation (program 15-19-10054).
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 5, Pages 625–627
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618050081
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: N. N. Gerasimenko, N. S. Balakleyskiy, A. D. Volokhovskiy, D. I. Smirnov, O. A. Zaporozhan, “Ion synthesis: Si–Ge quantum dots”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018), 516; Semiconductors, 52:5 (2018), 625–627
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GerBalVol18}
\by N.~N.~Gerasimenko, N.~S.~Balakleyskiy, A.~D.~Volokhovskiy, D.~I.~Smirnov, O.~A.~Zaporozhan
\paper Ion synthesis: Si--Ge quantum dots
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 5
\pages 516
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5842}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32740380}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 5
\pages 625--627
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618050081}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5842
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i5/p516
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:28
    PDF полного текста:6
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024