Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 5, страница 513 (Mi phts5839)  
XXV International Symposium ''Nanostructures: Physics and Technology'', Saint Petersburg, June 26-30, 2017
Nanostructure Technology

Molecular beam epitaxy of materials interfaces with atomic precision

Klaus H. Ploog

Paul Drude Institute for Solid State Electronics, 101117 Berlin, Germany
PDF полного текста (19 kB)
Аннотация: In this contribution a few selected examples to engineer material interfaces in nanostructured solids with atomic precision by means of molecular beam epitaxy (MBE) are presented. The examples include 2$D$ electron gas systems for quantum transport and mesoscopic physics, quantum cascade lasers, Sb-based materials, ferromagnet-semiconductor heterostructures, as well as oxide materials for electronics and quantum physics. Finally, the prospects to fabricate novel van-der-Waals heterostructures are briefly discussed.
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 5, Pages 615–617
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618050238
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: Klaus H. Ploog, “Molecular beam epitaxy of materials interfaces with atomic precision”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018), 513; Semiconductors, 52:5 (2018), 615–617
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Plo18}
\by Klaus~H.~Ploog
\paper Molecular beam epitaxy of materials interfaces with atomic precision
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 5
\pages 513
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5839}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32740377 }
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 5
\pages 615--617
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618050238}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5839
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i5/p513
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:48
    PDF полного текста:14
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024