Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 5, страница 509 (Mi phts5835)  
XXV International Symposium ''Nanostructures: Physics and Technology'', Saint Petersburg, June 26-30, 2017
Nanostructure Characterization

Optical properties of GaN nanowires grown by MBE on SiC/Si(111) hybrid substrate

I. V. Shtromabc, N. G. Filosofovc, V. F. Agekyanc, M. B. Smirnovc, A. Yu. Serovc, R. R. Reznikabd, K. E. Kudryavtseve, G. E. Cirlinabd

a St. Petersburg Academic University, Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia
b Institute for Analytical Instrumentation, Russian Academy of Sciences, 190103 St. Petersburg, Russia
c St. Petersburg State University, 199034 St. Petersburg, Russia
d ITMO University, 197101 St. Petersburg, Russia
e Institute for Physics of Microstructures of the Russian Academy of Sciences, 603950 Nizhny Novgorod, Russia
PDF полного текста (28 kB)
Аннотация: The aim of this work is to demonstrate the fundamental possibility of Si-doped GaN nanowires growth on the buffer layer of silicon carbide on silicon substrate and to investigate the optical characteristics of this structures.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 16.2483.2017/ПЧ
National Science Centre, Poland UMO-2017/25/B/ST3/02966
DEC-2014/14/M/ST3/00484
We are grateful for the support of the Ministry of education and science of the Russian Federation (state task, project No 16.2483.2017/PCh). This work was supported by the National Science Center (Poland) trough Grands No UMO-2017/25/B/ST3/02966 and DEC-2014/14/M/ST3/00484.
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 5, Pages 602–604
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618050299
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: I. V. Shtrom, N. G. Filosofov, V. F. Agekyan, M. B. Smirnov, A. Yu. Serov, R. R. Reznik, K. E. Kudryavtsev, G. E. Cirlin, “Optical properties of GaN nanowires grown by MBE on SiC/Si(111) hybrid substrate”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018), 509; Semiconductors, 52:5 (2018), 602–604
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ShtFilAge18}
\by I.~V.~Shtrom, N.~G.~Filosofov, V.~F.~Agekyan, M.~B.~Smirnov, A.~Yu.~Serov, R.~R.~Reznik, K.~E.~Kudryavtsev, G.~E.~Cirlin
\paper Optical properties of GaN nanowires grown by MBE on SiC/Si(111) hybrid substrate
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 5
\pages 509
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5835}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32740373}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 5
\pages 602--604
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618050299}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5835
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i5/p509
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:33
    PDF полного текста:8
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024