Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 5, страница 496 (Mi phts5822)  

XXV International Symposium ''Nanostructures: Physics and Technology'', Saint Petersburg, June 26-30, 2017
Excitons in Nanostructures

Biexciton binding energy in spherical quantum dots with $\Gamma_{8}$ valence band

A. A. Golovatenko, M.A. Semina, A. V. Rodina, T. V. Shubina

Ioffe Institute, 194021 St. Petersburg, Russia
Аннотация: The biexciton binding energy in spherical CdSe/ZnSe quantum dots is calculated variationally in the framework of $k$ $p$-perturbation theory. Smooth and abrupt confining potentials with the same localization area of carriers are compared for two limiting cases of light hole to heavy hole mass ratio $\beta$ = mlh/mhh: $\beta$ = 1 and $\beta$ = 0. Accounting for correlations between carriers results in their polarized configuration and significantly increases the biexciton binding energy in comparison with the first order perturbation theory. For $\beta$ = 0 in smooth confining potentials there are three nearby biexciton states separated by small energy gap between 1$S3/2$ and 1$P3/2$ hole states.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 14-22-00107
The work was supported by Russian Science Foundation (Project number 14-22-00107).
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 5, Pages 554–557
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261805010X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: A. A. Golovatenko, M.A. Semina, A. V. Rodina, T. V. Shubina, “Biexciton binding energy in spherical quantum dots with $\Gamma_{8}$ valence band”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018), 496; Semiconductors, 52:5 (2018), 554–557
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GolSemRod18}
\by A.~A.~Golovatenko, M.A.~Semina, A.~V.~Rodina, T.~V.~Shubina
\paper Biexciton binding energy in spherical quantum dots with $\Gamma_{8}$ valence band
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 5
\pages 496
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5822}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32740360}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 5
\pages 554--557
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261805010X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5822
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i5/p496
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:33
    PDF полного текста:11
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024