Туннельный ток во встречных диодах Шоттки, образованных контактами между вырожденным GaN $n$-типа и металлом

Проведено исследование нелинейного поведения зависимости тока от напряжения в симметричных контактах между металлом и вырожденным GaN n-типа, образующих встречные диоды Шоттки при концентрациях свободных носителей в GaN от 1.5$\cdot$ 10$^{19}$ до 2.$\cdot$10$^{20}$ см$^{-3}$. Показано, что при концентрации электронов 2.0$\cdot$10$^{20}$ см$^{-3}$ проводимость между металлом (хромом) и GaN осуществляется путем туннелирования электронов, а удельное сопротивление контакта Cr-GaN при этом составляет 0.05 Ом$\cdot$мм. Разработан метод определения параметров потенциальных барьеров по вольт-амперным характеристикам симметричных встречных контактов. Учтено влияние сильной неоднородности распределения плотности тока и напряжения по площади контактов при малом удельном сопротивлении контактов. Для контактов Cr-$n^{+}$-GaN получено значение высоты потенциального барьера, равное 0.47$\pm$0.04 эВ.