|
Эта публикация цитируется в 16 научных статьях (всего в 16 статьях)
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Гетероструктуры одночастотных и двухчастотных квантово-каскадных лазеров
А. В. Бабичевab, А. С. Курочкинb, Е. С. Колодезныйb, А. В. Филимоновa, А. А. Усиковаa, В. Н. Неведомскийc, А. Г. Гладышевa, Д. В. Денисовad, Л. Я. Карачинскийabc, И. И. Новиковabc, А. Ю. Егоровb a ООО "Коннектор Оптикс", г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
d Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
Аннотация:
Представлены результаты по разработке принципиальной конструкции и отработке технологических режимов выращивания гетероструктур одночастотных и двухчастотных квантово-каскадных лазеров. Гетероструктура двухчастотного квантово-каскадного лазера содержит каскады, излучающие на длинах волн 9.6 и 7.6 мкм. На основе предложенной гетероструктуры возможна реализация квантово-каскадного лазера, работающего на разностной частоте 8 ТГц. В качестве метода выращивания гетероструктур квантово-каскадного лазера применена молекулярно-пучковая эпитаксия. Методами рентгеновской дифракции и просвечивающей электронной микроскопии исследованы структурные свойства изготовленных гетероструктур. Продемонстрировано хорошее совпадение заданных и реализованных толщин эпитаксиальных слоев, высокая однородность химического состава и толщин эпитаксиальных слоев по площади гетероструктуры. Изготовлены полосковые квантово-каскадные лазеры и продемонстрирована их генерация на длине волны 9.6 мкм.
Поступила в редакцию: 19.10.2017 Принята в печать: 08.11.2017
Образец цитирования:
А. В. Бабичев, А. С. Курочкин, Е. С. Колодезный, А. В. Филимонов, А. А. Усикова, В. Н. Неведомский, А. Г. Гладышев, Д. В. Денисов, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, А. Ю. Егоров, “Гетероструктуры одночастотных и двухчастотных квантово-каскадных лазеров”, Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018), 597–602; Semiconductors, 52:6 (2018), 745–749
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5808 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i6/p597
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 63 | PDF полного текста: | 30 |
|