Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 6, страницы 597–602
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.06.45922.8751 (Mi phts5808) 		 
Эта публикация цитируется в 16 научных статьях (всего в 16 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Гетероструктуры одночастотных и двухчастотных квантово-каскадных лазеров

А. В. Бабичевab, А. С. Курочкинb, Е. С. Колодезныйb, А. В. Филимоновa, А. А. Усиковаa, В. Н. Неведомскийc, А. Г. Гладышевa, Д. В. Денисовad, Л. Я. Карачинскийabc, И. И. Новиковabc, А. Ю. Егоровb

a ООО "Коннектор Оптикс", г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
d Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
PDF полного текста (799 kB) Список цитирования (16)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.06.45922.8751
Аннотация: Представлены результаты по разработке принципиальной конструкции и отработке технологических режимов выращивания гетероструктур одночастотных и двухчастотных квантово-каскадных лазеров. Гетероструктура двухчастотного квантово-каскадного лазера содержит каскады, излучающие на длинах волн 9.6 и 7.6 мкм. На основе предложенной гетероструктуры возможна реализация квантово-каскадного лазера, работающего на разностной частоте 8 ТГц. В качестве метода выращивания гетероструктур квантово-каскадного лазера применена молекулярно-пучковая эпитаксия. Методами рентгеновской дифракции и просвечивающей электронной микроскопии исследованы структурные свойства изготовленных гетероструктур. Продемонстрировано хорошее совпадение заданных и реализованных толщин эпитаксиальных слоев, высокая однородность химического состава и толщин эпитаксиальных слоев по площади гетероструктуры. Изготовлены полосковые квантово-каскадные лазеры и продемонстрирована их генерация на длине волны 9.6 мкм.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований
Работа выполнена при финансовой поддержке РФФИ в рамках научного проекта № 16-29-09580.
Поступила в редакцию: 19.10.2017
Принята в печать: 08.11.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 6, Pages 745–749
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618060039
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Бабичев, А. С. Курочкин, Е. С. Колодезный, А. В. Филимонов, А. А. Усикова, В. Н. Неведомский, А. Г. Гладышев, Д. В. Денисов, Л. Я. Карачинский, И. И. Новиков, А. Ю. Егоров, “Гетероструктуры одночастотных и двухчастотных квантово-каскадных лазеров”, Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018), 597–602; Semiconductors, 52:6 (2018), 745–749
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BabKurKol18}
\by А.~В.~Бабичев, А.~С.~Курочкин, Е.~С.~Колодезный, А.~В.~Филимонов, А.~А.~Усикова, В.~Н.~Неведомский, А.~Г.~Гладышев, Д.~В.~Денисов, Л.~Я.~Карачинский, И.~И.~Новиков, А.~Ю.~Егоров
\paper Гетероструктуры одночастотных и двухчастотных квантово-каскадных лазеров
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 6
\pages 597--602
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5808}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.06.45922.8751}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37051671}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 6
\pages 745--749
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618060039}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5808
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i6/p597
    • Эта публикация цитируется в следующих 16 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:38
    PDF полного текста:11
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024