Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 6, страницы 565–568
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.06.45916.8616
(Mi phts5802)
 

Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Rb$_{1-x}$Cs$_{x}$NO$_{3}$ ($x$ = 0.025, 0.05, 0.1) монокристаллы и их исследование методом высокотемпературной рентгенографии

А. Ф. Хазиеваa, В. И. Насировab, Ю. Г. Асадовa, Ю. И. Алыевab, А. О. Дашдемировb, С. Г. Джабаровa

a Институт физики НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
b Азербайджанский государственный педагогический университет, Баку, Азербайджан
Аннотация: Методом рентгеновской дифракции исследованы полиморфные превращения в полученных нами кристаллах Rb$_{0.975}$Cs$_{0.025}$NO$_{3}$, Rb$_{0.950}$Cs$_{0.05}$NO$_{3}$ и Rb$_{0.90}$Cs$_{0.1}$NO$_{3}$. В интервале температур от комнатной до температуры плавления в кристаллах установлены четыре различных модификации. Определены температуры превращения и параметры элементарных ячеек кристаллов этих модификаций.
Поступила в редакцию: 19.04.2017
Принята в печать: 29.05.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 6, Pages 713–716
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261806009X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Ф. Хазиева, В. И. Насиров, Ю. Г. Асадов, Ю. И. Алыев, А. О. Дашдемиров, С. Г. Джабаров, “Rb$_{1-x}$Cs$_{x}$NO$_{3}$ ($x$ = 0.025, 0.05, 0.1) монокристаллы и их исследование методом высокотемпературной рентгенографии”, Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018), 565–568; Semiconductors, 52:6 (2018), 713–716
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KhaNasAsa18}
\by А.~Ф.~Хазиева, В.~И.~Насиров, Ю.~Г.~Асадов, Ю.~И.~Алыев, А.~О.~Дашдемиров, С.~Г.~Джабаров
\paper Rb$_{1-x}$Cs$_{x}$NO$_{3}$ ($x$ = 0.025, 0.05, 0.1) монокристаллы и их исследование методом высокотемпературной рентгенографии
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 6
\pages 565--568
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5802}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.06.45916.8616}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37051658}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 6
\pages 713--716
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261806009X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5802
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i6/p565
  • Эта публикация цитируется в следующих 8 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:31
    PDF полного текста:10
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024