Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 7, страницы 782–786
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.07.46052.8731
(Mi phts5790)
 

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Углеродные системы

Влияние электрон-фононного взаимодействия на проводимость и работу выхода эпитаксиального графена

С. Ю. Давыдовab

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
Аннотация: В рамках кластерной модели эпитаксиального графена получено условие наведенного электрон-фононным взаимодействием графен-подложка и внешним электрическим полем скачкообразного изменения заряда адатомов углерода. Такой переход заряда приводит к соответствующим скачкам статической проводимости и работы выхода эпитаксиального графена. Численные оценки приведены для случая слабой связи квазисвободного графена c металлической и полупроводниковой подложками.
Поступила в редакцию: 19.09.2017
Принята в печать: 24.10.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 7, Pages 921–925
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618070047
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. Ю. Давыдов, “Влияние электрон-фононного взаимодействия на проводимость и работу выхода эпитаксиального графена”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 782–786; Semiconductors, 52:7 (2018), 921–925
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Dav18}
\by С.~Ю.~Давыдов
\paper Влияние электрон-фононного взаимодействия на проводимость и работу выхода эпитаксиального графена
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 7
\pages 782--786
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5790}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.07.46052.8731}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=35269412}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 7
\pages 921--925
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618070047}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5790
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i7/p782
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:33
    PDF полного текста:11
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024