Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 7, страницы 775–781
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.07.46051.8782
(Mi phts5789)
 

Эта публикация цитируется в 10 научных статьях (всего в 10 статьях)

Углеродные системы

Структура и свойства полученных методом магнетронного распыления тонких графитоподобных пленок

А. Я. Виноградовa, С. А. Грудинкинa, Н. А. Бесединаb, С. В. Коняхинab, М. К. Рабчинскийa, Е. Д. Эйдельманac, В. Г. Голубевa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургская химико-фармацевтическая академия
Аннотация: Исследованы структурные, электрические и оптические свойства тонких графитоподобных пленок, полученных на кристаллическом кремнии и кварце методом магнетронного распыления при температурах подложки в диапазоне от 320 до 620$^\circ$C. Из анализа спектров комбинационного рассеяния света установлено, что с ростом температуры подложки происходит увеличение характерного размера кристаллитов, уменьшение концентрации структурных дефектов и содержания аморфного углерода в фазовом составе пленок. С увеличением температуры подложки в спектрах оптического поглощения в ультрафиолетовой области спектра наблюдался сдвиг максимума интенсивности поглощения в область больших длин волн и возрастание поглощения в видимой и ближней ИК-областях спектра. С ростом температуры осаждения удельная электропроводность пленок увеличивалась с 0.2 Ом$^{-1}$ $\cdot$ см$^{-1}$ при 320$^\circ$C до 30 Ом$^{-1}$ $\cdot$ см$^{-1}$ при 620$^\circ$C.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 16-19-00075
Работа выполнена при финансовой поддержке РНФ (проект № 16-19-00075).
Поступила в редакцию: 30.11.2017
Принята в печать: 04.12.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 7, Pages 914–920
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618070266
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Я. Виноградов, С. А. Грудинкин, Н. А. Беседина, С. В. Коняхин, М. К. Рабчинский, Е. Д. Эйдельман, В. Г. Голубев, “Структура и свойства полученных методом магнетронного распыления тонких графитоподобных пленок”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 775–781; Semiconductors, 52:7 (2018), 914–920
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{VinGruBes18}
\by А.~Я.~Виноградов, С.~А.~Грудинкин, Н.~А.~Беседина, С.~В.~Коняхин, М.~К.~Рабчинский, Е.~Д.~Эйдельман, В.~Г.~Голубев
\paper Структура и свойства полученных методом магнетронного распыления тонких графитоподобных пленок
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 7
\pages 775--781
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5789}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.07.46051.8782}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=35269411}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 7
\pages 914--920
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618070266}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5789
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i7/p775
  • Эта публикация цитируется в следующих 10 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:45
    PDF полного текста:31
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024