Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 7, страницы 763–767
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.07.46049.8788 (Mi phts5787) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Модификация спектров фотопроводимости в композитных структурах ZnO-квантовые точки CdSe под действием дополнительного фотовозбуждения

К. А. Дроздовa, И. В. Крыловa, А. С. Чижовb, М. Н. Румянцеваb, Л. И. Pябоваb, Д. Р. Хохловa

a Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
b Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, химический факультет
PDF полного текста (381 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.07.46049.8788
Аннотация: Внедрение в пористую матрицу ZnO нанокристаллов CdSe приводит к сенсибилизации композита в видимом спектральном диапазоне. Измерение спектральных зависимостей фотопроводимости при варьируемой внешней подсветке показало, что они могут претерпевать обратимые изменения. Пoказано, что форма пика и положение локального максимума фотопроводимости, отвечающего нанокристаллам, зависят от спектрального распределения интенсивности падающего излучения. Обсуждаются механизмы, ответственные за процесс.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 16-12-10071
Работа выполнена при поддержке гранта РНФ № 16-12-10071.
Поступила в редакцию: 06.12.2017
Принята в печать: 15.12.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 7, Pages 902–906
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618070059
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: К. А. Дроздов, И. В. Крылов, А. С. Чижов, М. Н. Румянцева, Л. И. Pябова, Д. Р. Хохлов, “Модификация спектров фотопроводимости в композитных структурах ZnO-квантовые точки CdSe под действием дополнительного фотовозбуждения”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 763–767; Semiconductors, 52:7 (2018), 902–906
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DroKryChi18}
\by К.~А.~Дроздов, И.~В.~Крылов, А.~С.~Чижов, М.~Н.~Румянцева, Л.~И.~Pябова, Д.~Р.~Хохлов
\paper Модификация спектров фотопроводимости в композитных структурах ZnO-квантовые точки CdSe под действием дополнительного фотовозбуждения
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 7
\pages 763--767
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5787}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.07.46049.8788}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=35269409}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 7
\pages 902--906
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618070059}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5787
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i7/p763
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:55
    PDF полного текста:13
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024