Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 7, страницы 751–756
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.07.46047.8648 (Mi phts5785) 		 
Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Исследование механизмов токопрохождения в гетероструктуре CdS/$por$-Si/$p$-Si

В. В. Трегуловa, В. Г. Литвиновb, А. В. Ермачихинb

a Рязанский государственный университет имени С. А. Есенина
b Рязанский государственный радиотехнический университет
PDF полного текста (154 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.07.46047.8648
Аннотация: Исследована температурная зависимость прямых и обратных ветвей вольт-амперной характеристики, а также спектр фотоэдс полупроводниковой гетероструктуры CdS/$por$-Si/$p$-Si. Установлено, что механизмы токопрохождения определяются генерационно-рекомбинационными процессами в области пространственного заряда гетероперехода $por$-Si/$p$-Si, туннелированием носителей заряда в пленке $por$-Si и моделью токов, ограниченных пространственным зарядом. Предложен упрощенный вариант зонной диаграммы исследуемой гетероструктуры.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 3.9506.2017/БЧ
14.Z56.16.4518-МК
Представленные результаты получены в рамках выполнения государственного задания Министерства образования и науки России № 3.9506.2017/БЧ в Рязанском государственном университете им. С.А. Есенина, а также в рамках работ по гранту Президента Российской Федерации № 14.Z56.16.4518-МК в Рязанском государственном радиотехническом университете.
Поступила в редакцию: 16.05.2017
Принята в печать: 22.11.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 7, Pages 891–896
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618070242
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. В. Трегулов, В. Г. Литвинов, А. В. Ермачихин, “Исследование механизмов токопрохождения в гетероструктуре CdS/$por$-Si/$p$-Si”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 751–756; Semiconductors, 52:7 (2018), 891–896
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TreLitErm18}
\by В.~В.~Трегулов, В.~Г.~Литвинов, А.~В.~Ермачихин
\paper Исследование механизмов токопрохождения в гетероструктуре CdS/$por$-Si/$p$-Si
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 7
\pages 751--756
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5785}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.07.46047.8648}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=35269407}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 7
\pages 891--896
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618070242}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5785
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i7/p751
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:28
    PDF полного текста:8
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024