Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 7, страницы 712–717
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.07.46040.8669 (Mi phts5778) 		 
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Поперечный эффект Нернста–Эттингсгаузена в сверхрешетках при электрон-фононном рассеянии

С. Р. Фигароваa, Г. И. Гусейновb, В. Р. Фигаровc

a Бакинский государственный университет
b Азербайджанский университет архитектуры и строительства, Баку, Азербайджан
c Институт физики НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
PDF полного текста (158 kB) Список цитирования (5)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.07.46040.8669
Аннотация: Вычислен коэффициент Нернста–Эттингсгаузена в сверхрешетках с косинусоидальным законом дисперсии при рассеянии носителей тока на акустических и полярных оптических фононах в магнитном поле в плоскости слоя. Показано, что в слабом магнитном поле имеет место существенное увеличение коэффициента Нернста–Эттингсгаузена квазитрехмерного вырожденного электронного газа. При рассеянии на полярных оптических фононах коэффициент Нернста–Эттингсгаузена в сильном магнитном поле меняет знак.
Поступила в редакцию: 14.06.2017
Принята в печать: 17.10.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 7, Pages 853–858
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618070084
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. Р. Фигарова, Г. И. Гусейнов, В. Р. Фигаров, “Поперечный эффект Нернста–Эттингсгаузена в сверхрешетках при электрон-фононном рассеянии”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 712–717; Semiconductors, 52:7 (2018), 853–858
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{FigGusFig18}
\by С.~Р.~Фигарова, Г.~И.~Гусейнов, В.~Р.~Фигаров
\paper Поперечный эффект Нернста--Эттингсгаузена в сверхрешетках при электрон-фононном рассеянии
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 7
\pages 712--717
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5778}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.07.46040.8669}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=35269400}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 7
\pages 853--858
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618070084}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5778
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i7/p712
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:57
    PDF полного текста:17
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024