Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 8, страницы 958–962
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.08.46227.8643
(Mi phts5771)
 

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Кристаллическая структура и ширина запрещенной зоны твердых растворов (MnIn$_{2}$S$_{4}$)$_{1-x}$ $\cdot$ (AgIn$_{5}$S$_{8}$)$_{x}$

И. В. Боднарь, Чан Бинь Тхан

Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Аннотация: Методом Бриджмена впервые выращены монокристаллы твердых растворов (MnIn$_{2}$S$_{4}$)$_{1-x}$ $\cdot$ (AgIn$_{5}$S$_{8}$)$_{x}$ во всем интервале концентраций. Определен состав полученных монокристаллов и их кристаллическая структура. Показано, что твердые растворы кристаллизуются в кубической структуре шпинели. Рассчитан параметр элементарной ячейки монокристаллов $(a)$, и построена его концентрационная зависимость. Установлено, что $a$ с $x$ изменяется линейно. По спектрам пропускания в области края собственного поглощения определена ширина запрещенной зоны $(E_{g})$ соединений MnIn$_{2}$S$_{4}$, AgIn$_{5}$S$_{8}$ и твердых растворов (MnIn$_{2}$S$_{4}$)$_{1-x}$ $\cdot$ (AgIn$_{5}$S$_{8}$)$_{x}$, построена ее концентрационная зависимость. Установлено, что $E_{g}$ с $x$ изменяется нелинейно (с максимумом при $x$ = 0.4).
Финансовая поддержка Номер гранта
Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований Ф16-028
Работа выполнена при финансовой поддержке Белорусского Республиканского фонда фундаментальных исследований (проект № Ф16-028).
Поступила в редакцию: 11.05.2017
Принята в печать: 22.05.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 8, Pages 1086–1090
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618080043
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. В. Боднарь, Чан Бинь Тхан, “Кристаллическая структура и ширина запрещенной зоны твердых растворов (MnIn$_{2}$S$_{4}$)$_{1-x}$ $\cdot$ (AgIn$_{5}$S$_{8}$)$_{x}$”, Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018), 958–962; Semiconductors, 52:8 (2018), 1086–1090
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BonTkh18}
\by И.~В.~Боднарь, Чан~Бинь~Тхан
\paper Кристаллическая структура и ширина запрещенной зоны твердых растворов (MnIn$_{2}$S$_{4}$)$_{1-x}$ $\cdot$ (AgIn$_{5}$S$_{8}$)$_{x}$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 8
\pages 958--962
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5771}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.08.46227.8643}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=35269444}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 8
\pages 1086--1090
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618080043}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5771
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i8/p958
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:43
    PDF полного текста:13
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024