|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Физика полупроводниковых приборов
Изготовление $p$–$n$-переходов в графене и их применение для детектирования терагерцового излучения
Г. Ю. Васильеваa, Ю. Б. Васильевa, С. Н. Новиковb, С. Н. Даниловc, С. Д. Ганичевc a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Aalto University, Espoo, Finland
c Terahertz Center TerZ, University of Regensburg, Regensburg, Germany
Аннотация:
Рассматривается новый способ формирования латеральных $p$–$n$-переходов в эпитаксиальном графене с помощью УФ излучения. Применение метода УФ засветки позволяет получить $p$–$n$-переходы большого размера, которые исследовались в режиме фототока и фотопроводимости при облучении терагерцовым излучением. Обсуждаются механизмы терагерцового фотоответа $p$–$n$-переходов в графене.
Поступила в редакцию: 27.12.2017 Принята в печать: 29.12.2017
Образец цитирования:
Г. Ю. Васильева, Ю. Б. Васильев, С. Н. Новиков, С. Н. Данилов, С. Д. Ганичев, “Изготовление $p$–$n$-переходов в графене и их применение для детектирования терагерцового излучения”, Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018), 949–953; Semiconductors, 52:8 (2018), 1077–1081
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5769 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i8/p949
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 43 | PDF полного текста: | 16 |
|