Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 8, страницы 949–953
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.08.46225.8809 (Mi phts5769) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Изготовление $p$–$n$-переходов в графене и их применение для детектирования терагерцового излучения

Г. Ю. Васильеваa, Ю. Б. Васильевa, С. Н. Новиковb, С. Н. Даниловc, С. Д. Ганичевc

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Aalto University, Espoo, Finland
c Terahertz Center TerZ, University of Regensburg, Regensburg, Germany
PDF полного текста (447 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.08.46225.8809
Аннотация: Рассматривается новый способ формирования латеральных $p$–$n$-переходов в эпитаксиальном графене с помощью УФ излучения. Применение метода УФ засветки позволяет получить $p$–$n$-переходы большого размера, которые исследовались в режиме фототока и фотопроводимости при облучении терагерцовым излучением. Обсуждаются механизмы терагерцового фотоответа $p$–$n$-переходов в графене.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 16-02-00854
Deutsche Forschungsgemeinschaft SFB 1277-A04
GRK1570
Работа выполнена при частичной поддержке РФФИ 16-02-00854 и DFG (SFB 1277-A04 и GRK1570).
Поступила в редакцию: 27.12.2017
Принята в печать: 29.12.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 8, Pages 1077–1081
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618080225
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Г. Ю. Васильева, Ю. Б. Васильев, С. Н. Новиков, С. Н. Данилов, С. Д. Ганичев, “Изготовление $p$–$n$-переходов в графене и их применение для детектирования терагерцового излучения”, Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018), 949–953; Semiconductors, 52:8 (2018), 1077–1081
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{VasVasNov18}
\by Г.~Ю.~Васильева, Ю.~Б.~Васильев, С.~Н.~Новиков, С.~Н.~Данилов, С.~Д.~Ганичев
\paper Изготовление $p$--$n$-переходов в графене и их применение для детектирования терагерцового излучения
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 8
\pages 949--953
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5769}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.08.46225.8809}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=35269442}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 8
\pages 1077--1081
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618080225}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5769
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i8/p949
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:43
    PDF полного текста:16
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024