Влияние глубоких центров на статистическую задержку микроплазменного пробоя в арсенид-галлиевых светодиодах

Проведено исследование статистической задержки пробоя микроплазмы в арсенид-галлиевых светодиодах. Обнаружено существенное влияние глубоких центров на микроплазменный пробой арсенид-галлиевых $p$–$n$-переходов. Показано, что при изменении зарядового состояния глубоких центров снижением обратного напряжения на $p$–$n$-переходе, статистическая задержка микроплазменного пробоя позволяет оценивать энергетический спектр глубоких уровней в микроплазменном канале. В температурном диапазоне 250–350 K обнаружено влияние трех глубоких уровней и определены их параметры.