|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Физика полупроводниковых приборов
Влияние глубоких центров на статистическую задержку микроплазменного пробоя в арсенид-галлиевых светодиодах
В. К. Ионычев, А. А. Шестеркина Мордовский государственный университет
Аннотация:
Проведено исследование статистической задержки пробоя микроплазмы в арсенид-галлиевых светодиодах. Обнаружено существенное влияние глубоких центров на микроплазменный пробой арсенид-галлиевых $p$–$n$-переходов. Показано, что при изменении зарядового состояния глубоких центров снижением обратного напряжения на $p$–$n$-переходе, статистическая задержка микроплазменного пробоя позволяет оценивать энергетический спектр глубоких уровней в микроплазменном канале. В температурном диапазоне 250–350 K обнаружено влияние трех глубоких уровней и определены их параметры.
Поступила в редакцию: 11.10.2017 Принята в печать: 19.12.2017
Образец цитирования:
В. К. Ионычев, А. А. Шестеркина, “Влияние глубоких центров на статистическую задержку микроплазменного пробоя в арсенид-галлиевых светодиодах”, Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018), 944–948; Semiconductors, 52:8 (2018), 1072–1076
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5768 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i8/p944
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 23 | PDF полного текста: | 6 |
|