Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 8, страницы 939–943
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.08.46223.8738
(Mi phts5767)
 

Физика полупроводниковых приборов

Модуляция заряда германиевых МДП-структур с фторсодержащими диэлектриками

М. Б. Шалимова

Самарский национальный исследовательский университет
Аннотация: В МДП-структурах на основе германия $n$-типа формировался диэлектрический слой из ErF$_{3}$, YF$_{3}$, NdF$_{3}$ и TmF$_{3}$. Показано, что отрицательный эффективный заряд в данных германиевых МДП-структурах не наблюдается, а деградация электрических характеристик и рост плотности поверхностных состояний приводят к увеличению положительного заряда. Положительный заряд, создаваемый на границе раздела германий-фторид редкоземельного элемента, может компенсировать отрицательный заряд оборванных связей на поверхности германия, что потенциально перспективно для модуляции величины и знака заряда в МДП-устройствах на германии.
Поступила в редакцию: 28.09.2017
Принята в печать: 18.10.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 8, Pages 1068–1071
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618080201
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. Б. Шалимова, “Модуляция заряда германиевых МДП-структур с фторсодержащими диэлектриками”, Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018), 939–943; Semiconductors, 52:8 (2018), 1068–1071
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Sha18}
\by М.~Б.~Шалимова
\paper Модуляция заряда германиевых МДП-структур с фторсодержащими диэлектриками
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 8
\pages 939--943
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5767}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.08.46223.8738}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=35269440}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 8
\pages 1068--1071
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618080201}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5767
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i8/p939
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:31
    PDF полного текста:9
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024