|
Физика полупроводниковых приборов
Модуляция заряда германиевых МДП-структур с фторсодержащими диэлектриками
М. Б. Шалимова Самарский национальный исследовательский университет
Аннотация:
В МДП-структурах на основе германия $n$-типа формировался диэлектрический слой из ErF$_{3}$, YF$_{3}$, NdF$_{3}$ и TmF$_{3}$. Показано, что отрицательный эффективный заряд в данных германиевых МДП-структурах не наблюдается, а деградация электрических характеристик и рост плотности поверхностных состояний приводят к увеличению положительного заряда. Положительный заряд, создаваемый на границе раздела германий-фторид редкоземельного элемента, может компенсировать отрицательный заряд оборванных связей на поверхности германия, что потенциально перспективно для модуляции величины и знака заряда в МДП-устройствах на германии.
Поступила в редакцию: 28.09.2017 Принята в печать: 18.10.2017
Образец цитирования:
М. Б. Шалимова, “Модуляция заряда германиевых МДП-структур с фторсодержащими диэлектриками”, Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018), 939–943; Semiconductors, 52:8 (2018), 1068–1071
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5767 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i8/p939
|
|