Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 8, страницы 931–938
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.08.46222.8816
(Mi phts5766)
 

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Деградация фотолюминесценции тонких пленок ZnTPP и ZnTPP-C$_{60}$ под действием гамма-облучения

Н. М. Романовab, М. А. Елистратоваc, E. Lahderantab, И. Б. Захароваa

a Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
b Lappeenranta University of Technology, Lappeenranta, Finland
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Порфирины и их комплексы с фуллереном являются перспективными материалами для реализации органических фотовольтаических структур. Однако стабильность свойств органических компонент под действием жесткого облучения практически не изучена. В работе исследовано влияние $\gamma$-облучения средними (порядка 10$^{4}$ Гр) и большими (10$^{7}$ Гр) дозами на фотолюминесценцию тонких структурно-совершенных пленок, как чистого порфирина ZnTPP, так и композитных пленок ZnTPP/C$_{60}$ в молярном соотношении 1.3 : 1. Показано, что под действием gamma-облучения интенсивность электронного излучательного перехода (626 нм) уменьшается, причем дозовая зависимость носит пороговый характер. Пороговая доза составляет $\sim$20 кГр для пленок ZnTPP. В обоих типах образцов интенсивность электронно-колебательной части спектральной зависимости ФЛ (670–690 нм) увеличивалась при начальных дозах облучения и при дальнейшем возрастании дозы облучения уменьшается слабее, чем для чисто электронного перехода. В нанокомпозитных пленках добавление фуллерена в $\sim$2.5 раза увеличивает пороговую дозу, после которой начинается деградация ФЛ пленок. При этом спектральные составляющие ФЛ, связанные с проявлением излучения фуллерена С$_{60}$, более стабильны под действием $\gamma$-облучения.
Поступила в редакцию: 11.01.2018
Принята в печать: 28.01.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 8, Pages 1061–1067
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618080183
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. М. Романов, М. А. Елистратова, E. Lahderanta, И. Б. Захарова, “Деградация фотолюминесценции тонких пленок ZnTPP и ZnTPP-C$_{60}$ под действием гамма-облучения”, Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018), 931–938; Semiconductors, 52:8 (2018), 1061–1067
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{RomEliLah18}
\by Н.~М.~Романов, М.~А.~Елистратова, E.~Lahderanta, И.~Б.~Захарова
\paper Деградация фотолюминесценции тонких пленок ZnTPP и ZnTPP-C$_{60}$ под действием гамма-облучения
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 8
\pages 931--938
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5766}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.08.46222.8816}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=35269439}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 8
\pages 1061--1067
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618080183}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5766
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i8/p931
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:40
    PDF полного текста:9
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024