Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 8, страницы 916–920
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.08.46219.8678 (Mi phts5763) 		 
Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Магнитные свойства вакансий и внедренного хрома в кристалле ZnO

В. Н. Джафароваa, Г. С. Оруджевab, С. С. Гусейноваa, В. Р. Стемпицкийc, М. С. Баранaваc

a Институт физики НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
b Азербайджанский технический университет, г. Баку
c Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники (НИЛ "Компьютерное проектирование микро- и наноэлектронных систем"), Минск, Беларусь
PDF полного текста (495 kB) Список цитирования (8)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.08.46219.8678
Аннотация: Представлены результаты теоретических исследований электронных и магнитных свойств ZnO, содержащего дефекты (атом внедрения Cr, вакансии Zn и O) в кристаллической структуре. Расчеты выполнялись с использованием программных комплексов Atomistix Tool Kit и Vienna Ab-initio Simulation Package, реализующих метод функционала электронной плотности с xаббард коррекцией. Показано, что магнитный момент дефектной суперъячейки имеет сильную зависимость от концентрации примеси и наличия вакансий. Внедрение атома кислорода повышает вероятность образования вакансии цинка.
Финансовая поддержка Номер гранта
Фонд развития науки при президенте Республики Азербайджан E ̇IF-BGM-2-BRFTF-1-2012/2013-07/03/1-M-05
Государственная научная программа Республики Беларусь 2.54
3.02
Работа выполнена при поддержке Фонда развития науки при президенте Азербайджанской Республики (грант № E ̇IF-BGM-2-BRFTF-1-2012/2013-07/03/1-M-05), а также в рамках заданий 2.54 ГПНИ “Физическое материаловедение, новые материалы и технологии” и 3.02 ГПНИ “Конвергенция-2020”, Государственных программ научных исследований Республики Беларусь.
Поступила в редакцию: 13.11.2017
Принята в печать: 28.11.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 8, Pages 1047–1050
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618080055
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Н. Джафарова, Г. С. Оруджев, С. С. Гусейнова, В. Р. Стемпицкий, М. С. Баранaва, “Магнитные свойства вакансий и внедренного хрома в кристалле ZnO”, Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018), 916–920; Semiconductors, 52:8 (2018), 1047–1050
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{JafOruGus18}
\by В.~Н.~Джафарова, Г.~С.~Оруджев, С.~С.~Гусейнова, В.~Р.~Стемпицкий, М.~С.~Баранaва
\paper Магнитные свойства вакансий и внедренного хрома в кристалле ZnO
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 8
\pages 916--920
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5763}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.08.46219.8678}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=35269436}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 8
\pages 1047--1050
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618080055}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5763
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i8/p916
    • Эта публикация цитируется в следующих 8 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:27
    PDF полного текста:18
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024