Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 8, страницы 844–846
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.08.46234.8748 (Mi phts5751) 		 
Электронные свойства полупроводников

Оптическое поглощение поликристаллических слоев сульфида цинка, активированного медью

В. Т. Аванесян, А. В. Ракина, Н. С. Каблукова

Российский государственный педагогический университет им. А. И. Герцена, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (308 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.08.46234.8748
Аннотация: Исследованы характеристики оптического поглощения после предварительной термической обработки поликристаллических слоев сульфида цинка, легированного медью. Состав исследуемого соединения контролировался методом рентгенофлуоресцентного анализа. По краю фундаментального поглощения оценены ширина запрещенной зоны $E_{g}$ и характеристическая энергия Урбаха. Обсуждается вклад в изменение оптических свойств дефектов структуры и примесного фактора.
Поступила в редакцию: 10.10.2017
Принята в печать: 18.10.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 8, Pages 977–979
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261808002X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Т. Аванесян, А. В. Ракина, Н. С. Каблукова, “Оптическое поглощение поликристаллических слоев сульфида цинка, активированного медью”, Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018), 844–846; Semiconductors, 52:8 (2018), 977–979
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AvaRakKab18}
\by В.~Т.~Аванесян, А.~В.~Ракина, Н.~С.~Каблукова
\paper Оптическое поглощение поликристаллических слоев сульфида цинка, активированного медью
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 8
\pages 844--846
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5751}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.08.46234.8748}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=35269424}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 8
\pages 977--979
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261808002X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5751
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i8/p844
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:39
    PDF полного текста:20
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024