Формирование преципитатов в Si, имплантированном ионами $^{64}$Zn$^{+}$ и $^{16}$O$^{+}$

Представлены результаты исследования приповерхностного слоя кремния и формирования преципитатов в образцах СZ $n$-Si(100), последовательно имплантированного при комнатной температуре ионами $^{64}$Zn$^{+}$ с дозой 5 $\cdot$ 10$^{16}$ см$^{2}$ и с энергией 100 кэВ и ионами $^{16}$О$^{+}$ с той же дозой, но с энергией 33 кэВ, так, чтобы их проекционные пробеги $R_{p}$ = 70 нм совпадали. После имплантации образцы в течение 1 ч отжигали в инертной среде Ar в температурном диапазоне 400–900$^\circ$C с шагом 100$^\circ$C. Профили имплантированных примесей исследованы методом времяпролетной вторично-ионной масс-спектрометрии. Визуализация поверхности Si проведена с помощью растрового электронного микроскопа, а приповерхностного слоя с помощью карт элементов, полученных методом электронной оже-спектроскопии с профилированием по глубине. После имплантации ионов Zn и О в аморфизованном слое кремния происходит образование текстуры ZnО(002). После отжига в среде Ar при температуре 700$^\circ$C в рекристаллизованном монокристаллическом слое Si обнаружены кристаллиты ZnO(102) c размером 5 нм.