|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Физика полупроводниковых приборов
Снижение порога генерации с помощью легирования в лазерах среднего инфракрасного диапазона на основе HgCdTe с квантовыми ямами HgTe
А. А. Дубиновab, В. Я. Алешкинab, С. В. Морозовab a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
Аннотация:
Предложена и проанализирована возможность значительного снижения порога межзонной генерации в лазерных структурах среднего инфракрасного диапазона на основе HgCdTe с квантовыми ямами HgTe с помощью легирования донорами путем введения $\delta$-слоев, расположенных вблизи квантовых ям. Показано, что при оптимальной поверхностной концентрации доноров в $\delta$-слое 4 $\cdot$ 10$^{10}$ см$^{-2}$ и рабочей температуре $>$ 40 K возможно снижение порога лазерной генерации на длине волны 20 мкм более чем в 2 раза.
Поступила в редакцию: 30.01.2018 Принята в печать: 20.02.2018
Образец цитирования:
А. А. Дубинов, В. Я. Алешкин, С. В. Морозов, “Снижение порога генерации с помощью легирования в лазерах среднего инфракрасного диапазона на основе HgCdTe с квантовыми ямами HgTe”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 1100–1103; Semiconductors, 52:9 (2018), 1221–1224
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5745 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i9/p1100
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 30 | PDF полного текста: | 7 |
|