Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 9, страницы 1100–1103
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.09.46159.8833
(Mi phts5745)
 

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Снижение порога генерации с помощью легирования в лазерах среднего инфракрасного диапазона на основе HgCdTe с квантовыми ямами HgTe

А. А. Дубиновab, В. Я. Алешкинab, С. В. Морозовab

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
Аннотация: Предложена и проанализирована возможность значительного снижения порога межзонной генерации в лазерных структурах среднего инфракрасного диапазона на основе HgCdTe с квантовыми ямами HgTe с помощью легирования донорами путем введения $\delta$-слоев, расположенных вблизи квантовых ям. Показано, что при оптимальной поверхностной концентрации доноров в $\delta$-слое 4 $\cdot$ 10$^{10}$ см$^{-2}$ и рабочей температуре $>$ 40 K возможно снижение порога лазерной генерации на длине волны 20 мкм более чем в 2 раза.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 17-12-01360
Работа выполнена при финансовой поддержке гранта Российского научного фонда (проект № 17-12-01360).
Поступила в редакцию: 30.01.2018
Принята в печать: 20.02.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 9, Pages 1221–1224
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618090038
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Дубинов, В. Я. Алешкин, С. В. Морозов, “Снижение порога генерации с помощью легирования в лазерах среднего инфракрасного диапазона на основе HgCdTe с квантовыми ямами HgTe”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 1100–1103; Semiconductors, 52:9 (2018), 1221–1224
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DubAleMor18}
\by А.~А.~Дубинов, В.~Я.~Алешкин, С.~В.~Морозов
\paper Снижение порога генерации с помощью легирования в лазерах среднего инфракрасного диапазона на основе HgCdTe с квантовыми ямами HgTe
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 9
\pages 1100--1103
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5745}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.09.46159.8833}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36903558}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 9
\pages 1221--1224
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618090038}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5745
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i9/p1100
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:30
    PDF полного текста:7
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024