Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 9, страницы 1076–1080
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.09.46157.8824
(Mi phts5742)
 

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Углеродные системы

Интеркалирование молекул фуллеренa С$_{60}$ под однослойный графен на карбиде молибдена

Е. В. Рутьков, Н. Р. Галль

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Показано, что прогрев пленки фуллерита толщиной в несколько мономолекулярных слоев, напыленнoй на однослойный графен, образованный на подложке из карбида молибдена Mo$_{2}$C, при температуре $T$ = 700–800 K приводит к интеркалированию молекул C$_{60}$ под графеновый слой. Прямое напыление молекул C$_{60}$ при $T$ = 650 K также приводит к интеркалированию молекул C$_{60}$ под графен; максимальное количество фуллерена, накопленного под графеном, составляет один монослой.
Поступила в редакцию: 22.01.2018
Принята в печать: 31.01.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 9, Pages 1198–1202
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618090130
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. В. Рутьков, Н. Р. Галль, “Интеркалирование молекул фуллеренa С$_{60}$ под однослойный графен на карбиде молибдена”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 1076–1080; Semiconductors, 52:9 (2018), 1198–1202
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{RutGal18}
\by Е.~В.~Рутьков, Н.~Р.~Галль
\paper Интеркалирование молекул фуллеренa С$_{60}$ под однослойный графен на карбиде молибдена
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 9
\pages 1076--1080
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5742}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.09.46157.8824}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36903555}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 9
\pages 1198--1202
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618090130}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5742
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i9/p1076
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:29
    PDF полного текста:10
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024