Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 9, страницы 1049–1055
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.09.46153.8754
(Mi phts5738)
 

Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Электрические свойства и энергетические параметры гетеропереходов $n$-FeS$_{2}$/$p$-Cd$_{1-x}$Zn$_{x}$Te

И. Г. Орлецкий, М. И. Илащук, М. Н. Солован, П. Д. Марьянчук, О. А. Парфенюк, Э. В. Майструк, С. В. Ничий

Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича
Аннотация: Исследованы условия изготовления гетеропереходов $n$-FeS$_{2}$/$p$-Cd$_{1-x}$Zn$_{x}$Te методом спрей-пиролиза тонких пленок пирита на кристаллические подложки $p$-Cd$_{1-x}$Zn$_{x}$Te. На основе комплексного анализа вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик установлено ограничение обратного тока областью пространственного заряда при малых обратных смещениях и проанализированы механизмы токообразования с участием энергетических уровней в области гетероперехода. Предложена модель энергетического профиля гетероперехода $n$-FeS$_{2}$/$p$-Cd$_{1-x}$Zn$_{x}$Te, которая хорошо коррелирует с экспериментально определенными параметрами и динамикой их изменения с температурой.
Поступила в редакцию: 24.10.2017
Принята в печать: 01.11.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 9, Pages 1171–1177
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618090117
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. Г. Орлецкий, М. И. Илащук, М. Н. Солован, П. Д. Марьянчук, О. А. Парфенюк, Э. В. Майструк, С. В. Ничий, “Электрические свойства и энергетические параметры гетеропереходов $n$-FeS$_{2}$/$p$-Cd$_{1-x}$Zn$_{x}$Te”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 1049–1055; Semiconductors, 52:9 (2018), 1171–1177
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{OrlIlaSol18}
\by И.~Г.~Орлецкий, М.~И.~Илащук, М.~Н.~Солован, П.~Д.~Марьянчук, О.~А.~Парфенюк, Э.~В.~Майструк, С.~В.~Ничий
\paper Электрические свойства и энергетические параметры гетеропереходов $n$-FeS$_{2}$/$p$-Cd$_{1-x}$Zn$_{x}$Te
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 9
\pages 1049--1055
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5738}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.09.46153.8754}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36903551}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 9
\pages 1171--1177
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618090117}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5738
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i9/p1049
  • Эта публикация цитируется в следующих 9 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:35
    PDF полного текста:24
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024