Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 9, страницы 995–999
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.09.46146.8804
(Mi phts5729)
 

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Структура и электрические свойства пленок на основе оксида олова, легированных цирконием

А. В. Ситников, О. В. Жилова, И. В. Бабкина, В. А. Макагонов, Ю. Е. Калинин, О. И. Ремизова

Воронежский государственный технический университет
Аннотация: Тонкие пленки SnO$_{2}$, стабилизированные Zr, были получены ионно-лучевым реактивным распылением. В одном технологическом процессе были синтезированы аморфные тонкопленочные образцы SnO$_{2}$ с различной концентрацией Zr. Исследовано влияние термической обработки на структуру и электрические свойства синтезированных пленок. В тонкопленочных системах Sn–Zr–O начало процесса кристаллизации наблюдается при температурах 673 и 773 K, что сопровождается появлением метастабильных фаз. При нагреве до 873 K эти фазы преобразуются в Sn + Sn$_{2}$O$_{3}$.
Было обнаружено,что после кристаллизации пленок процесс электропереноса при температурах, близких к комнатной, является термоактивационным с энергией активации $\sim$0.78 эВ. Пленки оксида олова, легированные Zr от 0.6 до 3.9 ат%, после кристаллизации проявляют свойства газовой чувствительности к водороду.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 3.1867.2017/4.6
Работа выполнена при поддержке Министерства образования и науки в рамках проектной части государственного задания (проект № 3.1867.2017/4.6).
Поступила в редакцию: 21.12.2017
Принята в печать: 05.02.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 9, Pages 1118–1122
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261809018X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Ситников, О. В. Жилова, И. В. Бабкина, В. А. Макагонов, Ю. Е. Калинин, О. И. Ремизова, “Структура и электрические свойства пленок на основе оксида олова, легированных цирконием”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 995–999; Semiconductors, 52:9 (2018), 1118–1122
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SitZhiBab18}
\by А.~В.~Ситников, О.~В.~Жилова, И.~В.~Бабкина, В.~А.~Макагонов, Ю.~Е.~Калинин, О.~И.~Ремизова
\paper Структура и электрические свойства пленок на основе оксида олова, легированных цирконием
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 9
\pages 995--999
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5729}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.09.46146.8804}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36903542}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 9
\pages 1118--1122
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261809018X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5729
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i9/p995
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:47
    PDF полного текста:15
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024