|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Поверхность, границы раздела, тонкие пленки
Эффект Пула–Френкеля и возможность его применения для прогнозирования радиационного накопления заряда в термическом диоксиде кремния
А. А. Ширяевa, В. М. Воротынцевb, Е. Л. Шоболовa a Федеральный научно-производственный центр
"Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова", Нижний Новгород, Россия
b Нижегородский государственный технический университет им. Р. Е. Алексеева
Аннотация:
Предложено применить эффект Пула–Френкеля для прогнозирования радиационно-индуцированного накопления заряда в термическом диоксиде кремния. Были рассмотрены различные механизмы электропроводности термического диоксида кремния, определены условия возникновения в нем эффекта Пула–Френкеля и рассчитаны характеристики донорных центров, участвующих в электропроводности Пула–Френкеля. Определен уровень донорных центров с энергией 2.34 эВ ниже дна зоны проводимости и получена концентрация ионизированных донорных центров, равная 1.0 $\cdot$ 10$^{9}$ см$^{-3}$ при температуре 400 K и напряженности поля 10 МВ/см. Сделано заключение, что эффект Пула–Френкеля можно применить не для прогнозирования абсолютного значения радиационно-индуцированного заряда, а для сравнения образцов по способности его накапливать.
Поступила в редакцию: 07.11.2017 Принята в печать: 29.11.2017
Образец цитирования:
А. А. Ширяев, В. М. Воротынцев, Е. Л. Шоболов, “Эффект Пула–Френкеля и возможность его применения для прогнозирования радиационного накопления заряда в термическом диоксиде кремния”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 990–994; Semiconductors, 52:9 (2018), 1114–1117
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5728 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i9/p990
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 22 | PDF полного текста: | 45 |
|