Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 9, страницы 990–994
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.09.46143.8762
(Mi phts5728)
 

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Эффект Пула–Френкеля и возможность его применения для прогнозирования радиационного накопления заряда в термическом диоксиде кремния

А. А. Ширяевa, В. М. Воротынцевb, Е. Л. Шоболовa

a Федеральный научно-производственный центр "Научно-исследовательский институт измерительных систем им. Ю.Е. Седакова", Нижний Новгород, Россия
b Нижегородский государственный технический университет им. Р. Е. Алексеева
Аннотация: Предложено применить эффект Пула–Френкеля для прогнозирования радиационно-индуцированного накопления заряда в термическом диоксиде кремния. Были рассмотрены различные механизмы электропроводности термического диоксида кремния, определены условия возникновения в нем эффекта Пула–Френкеля и рассчитаны характеристики донорных центров, участвующих в электропроводности Пула–Френкеля. Определен уровень донорных центров с энергией 2.34 эВ ниже дна зоны проводимости и получена концентрация ионизированных донорных центров, равная 1.0 $\cdot$ 10$^{9}$ см$^{-3}$ при температуре 400 K и напряженности поля 10 МВ/см. Сделано заключение, что эффект Пула–Френкеля можно применить не для прогнозирования абсолютного значения радиационно-индуцированного заряда, а для сравнения образцов по способности его накапливать.
Поступила в редакцию: 07.11.2017
Принята в печать: 29.11.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 9, Pages 1114–1117
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618090166
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Ширяев, В. М. Воротынцев, Е. Л. Шоболов, “Эффект Пула–Френкеля и возможность его применения для прогнозирования радиационного накопления заряда в термическом диоксиде кремния”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 990–994; Semiconductors, 52:9 (2018), 1114–1117
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ShiVorSho18}
\by А.~А.~Ширяев, В.~М.~Воротынцев, Е.~Л.~Шоболов
\paper Эффект Пула--Френкеля и возможность его применения для прогнозирования радиационного накопления заряда в термическом диоксиде кремния
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 9
\pages 990--994
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5728}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.09.46143.8762}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36903541}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 9
\pages 1114--1117
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618090166}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5728
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i9/p990
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:22
    PDF полного текста:45
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024