Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 9, страницы 973–979
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.09.46141.8806
(Mi phts5725)
 

Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Оптические свойства и механизм образования вакансионно-кислородных комплексов V$_{2}$O$_{2}$ и V$_{3}$O$_{2}$ в облученных кристаллах кремния

Е. А. Толкачеваa, В. П. Маркевичb, Л. И. Муринa

a Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Республика Беларусь
b Манчестерский университет, Манчестер, Англия
Аннотация: Методом ИК фурье-спектроскопии исследованы процессы образования и отжига вакансионно-кислородных комплексов V$_{n}$O$_{m} (n,m\ge2)$ в облученных быстрыми электронами и быстрыми реакторными нейтронами кристаллах кремния, полученных методом Чохральского. Приведен ряд аргументов, позволяющих идентифицировать полосы поглощения у 829.3 и 844.4 см$^{-1}$ как обусловленные локальными колебательными модами комплексов V$_{2}$O$_{2}$ и V$_{3}$O$_{2}$ соответственно.
Финансовая поддержка Номер гранта
Белорусский республиканский фонд фундаментальных исследований Ф16М-047
Работа выполнена при частичной финансовой поддержке Белорусского республиканского Фонда фундаментальных исследований (грант Ф16М-047).
Поступила в редакцию: 20.12.2017
Принята в печать: 09.01.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 9, Pages 1097–1103
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618090221
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. А. Толкачева, В. П. Маркевич, Л. И. Мурин, “Оптические свойства и механизм образования вакансионно-кислородных комплексов V$_{2}$O$_{2}$ и V$_{3}$O$_{2}$ в облученных кристаллах кремния”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 973–979; Semiconductors, 52:9 (2018), 1097–1103
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TolMarMur18}
\by Е.~А.~Толкачева, В.~П.~Маркевич, Л.~И.~Мурин
\paper Оптические свойства и механизм образования вакансионно-кислородных комплексов V$_{2}$O$_{2}$ и V$_{3}$O$_{2}$ в облученных кристаллах кремния
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 9
\pages 973--979
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5725}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.09.46141.8806}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36903538}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 9
\pages 1097--1103
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618090221}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5725
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i9/p973
  • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:42
    PDF полного текста:11
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024