Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 10, страницы 1207–1212
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.10.46463.8785
(Mi phts5717)
 

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Влияние условий синтеза и наночастиц олова на структуру и свойства композитных тонких пленок $a$-С:Н$\langle$Sn$\rangle$

А. П. Рягузов, Р. Р. Немкаева, Н. Р. Гусейнов

Национальная нанотехнологическая лаборатория открытого типа, Казахский национальный университет им. аль-Фараби, Алматы, Республика Казахстан
Аннотация: Приводятся результаты исследования структуры и свойств композитных материалов на основе аморфных пленок $a$-С:Н и наночастиц олова. Синтез композитных пленок осуществлялся магнетронным ионно-плазменным распылением комбинированной мишени в атмосфере смеси газов 92%Ar:4%CH$_{4}$:4%H$_{2}$. Методом комбинационного рассеяния света выявлена зависимость локальной структуры $a$-С:Н$\langle$Sn$\rangle$ пленок от условий синтеза и концентрации наночастиц олова. Показана зависимость интенсивности фотолюминесценции и значения оптической ширины запрещенной зоны в пленках $a$-С:Н$\langle$Sn$\rangle$ от концентрации Sn.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Республики Казахстан 3219/ГФ
Работа выполнена в рамках грантового финансирования 3219/ГФ комитета науки МОН Республики Казахстан.
Поступила в редакцию: 05.12.2017
Принята в печать: 29.01.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 10, Pages 1327–1333
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618100172
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. П. Рягузов, Р. Р. Немкаева, Н. Р. Гусейнов, “Влияние условий синтеза и наночастиц олова на структуру и свойства композитных тонких пленок $a$-С:Н$\langle$Sn$\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018), 1207–1212; Semiconductors, 52:10 (2018), 1327–1333
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{RyaNemGus18}
\by А.~П.~Рягузов, Р.~Р.~Немкаева, Н.~Р.~Гусейнов
\paper Влияние условий синтеза и наночастиц олова на структуру и свойства композитных тонких пленок $a$-С:Н$\langle$Sn$\rangle$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 10
\pages 1207--1212
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5717}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.10.46463.8785}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36903583 }
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 10
\pages 1327--1333
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618100172}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5717
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i10/p1207
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:27
    PDF полного текста:10
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024