Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 10, страницы 1197–1202
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.10.46461.8869
(Mi phts5715)
 

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Особенности спектров ИК отражения и комбинационного рассеяния кристаллов Sb$_{2}$Te$_{3-x}$Se$_{x}$

С. А. Немовab, В. Д. Андрееваa, Ю. В. Улашкевичc, А. В. Поволоцкийd, А. А. Аллаххахa

a Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
d Санкт-Петербургский государственный университет
Аннотация: Проведено комплексное исследование (рентгенофазовое, комбинацион ного рассеяния и ИК отражения) кристаллов $p$-Sb$_{2}$Te$_{3-x}$Se$_{x}$ (0 $\le x\le$ 0.10), синтезированных методом Чохральского. Рентгенофазовый анализ и спектры комбинационного рассеяния света показали, что все исследованные образцы твердых растворов имеют кристаллическую ромбоэдрическую структуру с параметрами элементарной ячейки, близкими к их значениям в кристаллах Sb$_{2}$Te$_{3}$. Вместе с тем также наблюдается образование областей с разной степенью замещения атомов Te селеном. Спектры отражения исследованных кристаллов $R(\nu)$ имеют характерный минимум вблизи 1000 см$^{-1}$, который связывается с плазменными колебаниями дырок. Плазменный минимум закономерно смещается в высокочастотную сторону по мере увеличения концентрации селена. Расчет спектров отражения в рамках модели Друде–Лоренца удовлетворительно описывает экспериментальные спектры, причем в области низких частот необходимо учитывать также вклад оптических колебаний кристаллической решетки. Расчет позволил определить оптические параметры исследованных кристаллов, а также оценить эффективную массу дырок и оптическую проводимость.
Поступила в редакцию: 22.03.2018
Принята в печать: 28.03.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 10, Pages 1317–1322
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618100159
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. А. Немов, В. Д. Андреева, Ю. В. Улашкевич, А. В. Поволоцкий, А. А. Аллаххах, “Особенности спектров ИК отражения и комбинационного рассеяния кристаллов Sb$_{2}$Te$_{3-x}$Se$_{x}$”, Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018), 1197–1202; Semiconductors, 52:10 (2018), 1317–1322
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{NemAndUla18}
\by С.~А.~Немов, В.~Д.~Андреева, Ю.~В.~Улашкевич, А.~В.~Поволоцкий, А.~А.~Аллаххах
\paper Особенности спектров ИК отражения и комбинационного рассеяния кристаллов Sb$_{2}$Te$_{3-x}$Se$_{x}$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 10
\pages 1197--1202
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5715}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.10.46461.8869}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36903581}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 10
\pages 1317--1322
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618100159}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5715
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i10/p1197
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:76
    PDF полного текста:18
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024