|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Физика полупроводниковых приборов
Особенности спектров ИК отражения и комбинационного рассеяния кристаллов Sb$_{2}$Te$_{3-x}$Se$_{x}$
С. А. Немовab, В. Д. Андрееваa, Ю. В. Улашкевичc, А. В. Поволоцкийd, А. А. Аллаххахa a Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
c Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
d Санкт-Петербургский государственный университет
Аннотация:
Проведено комплексное исследование (рентгенофазовое, комбинацион ного рассеяния и ИК отражения) кристаллов $p$-Sb$_{2}$Te$_{3-x}$Se$_{x}$ (0 $\le x\le$ 0.10), синтезированных методом Чохральского. Рентгенофазовый анализ и спектры комбинационного рассеяния света показали, что все исследованные образцы твердых растворов имеют кристаллическую ромбоэдрическую структуру с параметрами элементарной ячейки, близкими к их значениям в кристаллах Sb$_{2}$Te$_{3}$. Вместе с тем также наблюдается образование областей с разной степенью замещения атомов Te селеном. Спектры отражения исследованных кристаллов $R(\nu)$ имеют характерный минимум вблизи 1000 см$^{-1}$, который связывается с плазменными колебаниями дырок. Плазменный минимум закономерно смещается в высокочастотную сторону по мере увеличения концентрации селена. Расчет спектров отражения в рамках модели Друде–Лоренца удовлетворительно описывает экспериментальные спектры, причем в области низких частот необходимо учитывать также вклад оптических колебаний кристаллической решетки. Расчет позволил определить оптические параметры исследованных кристаллов, а также оценить эффективную массу дырок и оптическую проводимость.
Поступила в редакцию: 22.03.2018 Принята в печать: 28.03.2018
Образец цитирования:
С. А. Немов, В. Д. Андреева, Ю. В. Улашкевич, А. В. Поволоцкий, А. А. Аллаххах, “Особенности спектров ИК отражения и комбинационного рассеяния кристаллов Sb$_{2}$Te$_{3-x}$Se$_{x}$”, Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018), 1197–1202; Semiconductors, 52:10 (2018), 1317–1322
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5715 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i10/p1197
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 76 | PDF полного текста: | 18 |
|