Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 10, страницы 1120–1125
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.10.46450.8880
(Mi phts5704)
 

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Люминесценция и стимулированное излучение поликристаллических пленок Cu(In,Ga)Se$_{2}$, осажденных методом магнетотронного напыления

И. Е. Свитенковa, В. Н. Павловскийa, Е. В. Луценкоa, Г. П. Яблонскийa, В. Я. Ширипов, Е. А. Хохлов, А. В. Мудрыйb, В. Д. Живулькоb, О. М. Бородавченкоb, М. В. Якушевc

a Институт физики им. Б. И. Степанова НАН Беларуси, г. Минск
b Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь
c Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, г. Екатеринбург
Аннотация: Обнаружено стимулированное излучение в тонких пленках твердых растворов Cu(In,Ga)Se$_{2}$, сформированных методом магнетронного напыления на слое фторида натрия, осаждeнном на слой молибдена на стеклянной подложке. Определены структурные и оптические характеристики пленок с использованием методов сканирующей электронной микроскопии, рентгеноспектрального локального микроанализа, рентгеноструктурного анализа и низкотемпературной ($T$ = 10 K) люминесценции в интервале уровней возбуждения 1.6–75 кВт/см$^{2}$ наносекундными импульсами азотного лазера. Порог стимулированного излучения составил $\sim$25 кВт/см$^{2}$. Сравнительный анализ излучения тонких пленок Cu(In,Ga)Se$_{2}$ указывает на то, что введение натрия приводит к значительному улучшению кристаллического качества – уменьшению плотности энергетических состояний в хвостах зон и концентрации безызлучательных центров рекомбинации.
Финансовая поддержка Номер гранта
Государственная научная программа Республики Беларусь 2.1.01
Российский научный фонд 17-12-01500
Работа выполнена по заданиям государственных программ научных исследований Республики Беларусь “Фотоника, опто- и микроэлектроника 2.1.01”, “Наноматериалы и нанотехнологии 2.56” и гранту Российского научного фонда № 17-12-01500.
Поступила в редакцию: 04.04.2018
Принята в печать: 16.04.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 10, Pages 1238–1243
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618100196
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. Е. Свитенков, В. Н. Павловский, Е. В. Луценко, Г. П. Яблонский, В. Я. Ширипов, Е. А. Хохлов, А. В. Мудрый, В. Д. Живулько, О. М. Бородавченко, М. В. Якушев, “Люминесценция и стимулированное излучение поликристаллических пленок Cu(In,Ga)Se$_{2}$, осажденных методом магнетотронного напыления”, Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018), 1120–1125; Semiconductors, 52:10 (2018), 1238–1243
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SviPavLut18}
\by И.~Е.~Свитенков, В.~Н.~Павловский, Е.~В.~Луценко, Г.~П.~Яблонский, В.~Я.~Ширипов, Е.~А.~Хохлов, А.~В.~Мудрый, В.~Д.~Живулько, О.~М.~Бородавченко, М.~В.~Якушев
\paper Люминесценция и стимулированное излучение поликристаллических пленок Cu(In,Ga)Se$_{2}$, осажденных методом магнетотронного напыления
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 10
\pages 1120--1125
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5704}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.10.46450.8880}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36903569}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 10
\pages 1238--1243
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618100196}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5704
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i10/p1120
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:34
    PDF полного текста:22
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024