Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 10, страницы 1111–1114
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.10.46448.8749
(Mi phts5702)
 

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Суперионная проводимость твердых растворов (TlGaSe$_{2}$)$_{1-x}$(TlInS$_{2}$)$_{x}$

Р. М. Сардарлы, А. П. Абдуллаев, Н. А. Алиева, Ф. Т. Салманов, М. Ю. Юсифов, А. А. Оруджева

Институт радиационных проблем НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
Аннотация: Синтезированы образцы твердых растворов (TlGaSe$_{2}$)$_{1-x}$(TlInS$_{2}$)$_{x}$. Методом импедансной спектроскопии измерены частотные зависимости (2 $\cdot$ 10$^{1}$–10$^{6}$ Гц) компонент полного комплексного импеданса и исследованы релаксационные процессы в зависимости от состава твердого раствора (TlGaSe$_{2}$)$_{1-x}$(TlInS$_{2}$)$_{x}$ в области растворимости ($x$ = 0–0.4). С использованием метода эквивалентных схем замещения проанализированы полученные диаграммы на комплексной плоскости ($Z$"-$Z$'). В исследованном твердом растворе (TlGaSe$_{2}$)$_{1-x}$(TlInS$_{2}$)$_{x}$ при 400 K обнаружена аномалия в температурной зависимости электрической проводимости, выражающаяся в резком росте проводимости. Эта особенность связана с фазовым переходом в суперионное состояние.
Поступила в редакцию: 10.10.2017
Принята в печать: 18.10.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 10, Pages 1229–1232
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618100184
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Р. М. Сардарлы, А. П. Абдуллаев, Н. А. Алиева, Ф. Т. Салманов, М. Ю. Юсифов, А. А. Оруджева, “Суперионная проводимость твердых растворов (TlGaSe$_{2}$)$_{1-x}$(TlInS$_{2}$)$_{x}$”, Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018), 1111–1114; Semiconductors, 52:10 (2018), 1229–1232
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SarAbdAli18}
\by Р.~М.~Сардарлы, А.~П.~Абдуллаев, Н.~А.~Алиева, Ф.~Т.~Салманов, М.~Ю.~Юсифов, А.~А.~Оруджева
\paper Суперионная проводимость твердых растворов (TlGaSe$_{2}$)$_{1-x}$(TlInS$_{2}$)$_{x}$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 10
\pages 1111--1114
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5702}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.10.46448.8749}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36903567}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 10
\pages 1229--1232
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618100184}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5702
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i10/p1111
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:42
    PDF полного текста:13
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024