Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 11, страницы 1384–1389
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.11.46603.25 (Mi phts5700) 		 
XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018 г.

Стимулированное излучение в диапазоне 1.3–1.5 мкм из квантовых ям AlGaInAs в гибридных светоизлучающих структурах A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ на кремниевых подложках

К. Е. Кудрявцевab, А. А. Дубиновab, В. Я. Алешкинab, Д. В. Юрасовa, П. В. Горлачукc, Ю. Л. Рябоштанc, А. А. Мармалюкc, А. В. Новиковab, З. Ф. Красильникa

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
c Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха, г. Москва
PDF полного текста (315 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.11.46603.25
Аннотация: Методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений на “виртуальной подложке” Ge/Si(100) с использованием буферных слоев GaAs и InP выращены “гибридные” лазерные структуры с квантовыми ямами AlGaInAs. При оптической накачке полученных образцов достигнуто стимулированное излучение в диапазоне 1.3–1.5 мкм при температуре жидкого азота. Порог возникновения стимулированного излучения составил 30–70 кВт/см$^{2}$.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 14-12-00644
Работа выполнена при поддержке Российского научного фонда (грант 14-12-00644).
Поступила в редакцию: 25.04.2018
Принята в печать: 07.05.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 11, Pages 1495–1499
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618110143
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: К. Е. Кудрявцев, А. А. Дубинов, В. Я. Алешкин, Д. В. Юрасов, П. В. Горлачук, Ю. Л. Рябоштан, А. А. Мармалюк, А. В. Новиков, З. Ф. Красильник, “Стимулированное излучение в диапазоне 1.3–1.5 мкм из квантовых ям AlGaInAs в гибридных светоизлучающих структурах A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ на кремниевых подложках”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1384–1389; Semiconductors, 52:11 (2018), 1495–1499
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KudDubAle18}
\by К.~Е.~Кудрявцев, А.~А.~Дубинов, В.~Я.~Алешкин, Д.~В.~Юрасов, П.~В.~Горлачук, Ю.~Л.~Рябоштан, А.~А.~Мармалюк, А.~В.~Новиков, З.~Ф.~Красильник
\paper Стимулированное излучение в диапазоне 1.3--1.5 мкм из квантовых ям AlGaInAs в гибридных светоизлучающих структурах A$^{\mathrm{III}}$B$^{\mathrm{V}}$ на кремниевых подложках
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 11
\pages 1384--1389
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5700}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.11.46603.25}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36903619}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 11
\pages 1495--1499
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618110143}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5700
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i11/p1384
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:47
    PDF полного текста:22
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024