|
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)
XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018 г.
Влияние особенностей зонного спектра на характеристики стимулированного излучения в узкозонных гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe
В. В. Румянцевab, Н. С. Куликовab, А. М. Кадыковa, М. А. Фадеевa, А. В. Иконниковc, А. С. Казаковc, М. С. Жолудевa, В. Я. Алешкинab, В. В. Уточкинab, Н. Н. Михайловde, С. А. Дворецкийd, С. В. Морозовab, В. И. Гавриленкоab a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
c Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова
d Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
e Новосибирский государственный университет
Аннотация:
В квантовых ямах на основе HgCdTe, помещенных в диэлектрический волновод из широкозонного твердого раствора CdHgTe, получено стимулированное излучение в диапазоне длин волн 20.3–17.4 мкм на межзонных переходах при $T$ = 8–50 K. Гетероструктуры с квантовыми ямами на основе HgCdTe представляют интерес для создания длинноволновых лазеров на диапазон длин волн 25–60 мкм, к настоящему времени недоступный для квантовых каскадных лазеров. Показано, что максимальная температура, до которой возможно получение стимулированного излучения, определяется положением “боковых” максимумов на дисперсионных зависимостях в первой валентной подзоне квантовой ямы, и обсуждаются способы подавления безызлучательной рекомбинации в структурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe.
Поступила в редакцию: 25.04.2018 Принята в печать: 07.05.2018
Образец цитирования:
В. В. Румянцев, Н. С. Куликов, А. М. Кадыков, М. А. Фадеев, А. В. Иконников, А. С. Казаков, М. С. Жолудев, В. Я. Алешкин, В. В. Уточкин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, С. В. Морозов, В. И. Гавриленко, “Влияние особенностей зонного спектра на характеристики стимулированного излучения в узкозонных гетероструктурах с квантовыми ямами на основе HgCdTe”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1263–1267; Semiconductors, 52:11 (2018), 1375–1379
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5677 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i11/p1263
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 39 | PDF полного текста: | 21 |
|