Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 11, страницы 1257–1262
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.11.46579.01 (Mi phts5676) 		 
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018 г.

Расчет состояний многозарядных примесно-дефектных центров в эпитаксиальных слоях Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te

Д. В. Козловab, В. В. Румянцевab, С. В. Морозовba, А. М. Кадыковa, М. А. Фадеевa, H.-W. Hübersc, В. И. Гавриленкоab

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
c Institut für Physik, Humboldt-Universität zu Berlin, Berlin, Germany
PDF полного текста (458 kB) Список цитирования (4)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.11.46579.01
Аннотация: Разработан метод расчета состояний многовалентных доноров и акцепторов в Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te материалах. Рассчитаны энергии ионизации глубоких акцепторных и донорных центров в эпитаксиальных Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te-пленках. Метод расчета учитывал влияние как валентной зоны, так и зоны проводимости на состояния примесно-дефектных центров. Проведенные расчеты энергий уровней четырехвалентных акцепторов и доноров, связанных с дефектами кристаллической структуры, указывают на межцентровую природу линий, наблюдаемых ранее в спектрах фотолюминесценции Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te-пленок.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 17-12-01360
Работа выполнена при финансовой поддержке гранта Российского научного фонда (проект № 17-12-01360).
Поступила в редакцию: 25.04.2018
Принята в печать: 07.05.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 11, Pages 1369–1374
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618110131
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. В. Козлов, В. В. Румянцев, С. В. Морозов, А. М. Кадыков, М. А. Фадеев, H.-W. Hübers, В. И. Гавриленко, “Расчет состояний многозарядных примесно-дефектных центров в эпитаксиальных слоях Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1257–1262; Semiconductors, 52:11 (2018), 1369–1374
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KozRumMor18}
\by Д.~В.~Козлов, В.~В.~Румянцев, С.~В.~Морозов, А.~М.~Кадыков, М.~А.~Фадеев, H.-W.~H\"ubers, В.~И.~Гавриленко
\paper Расчет состояний многозарядных примесно-дефектных центров в эпитаксиальных слоях Hg$_{1-x}$Cd$_{x}$Te
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 11
\pages 1257--1262
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5676}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.11.46579.01}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36903594}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 11
\pages 1369--1374
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618110131}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5676
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i11/p1257
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:24
    PDF полного текста:9
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024