Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 12, страницы 1532–1534
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.12.46770.8914 (Mi phts5673) 		 
Физика полупроводниковых приборов

Гальванические и емкостные эффекты при компенсации проводимости $n$-SiC радиационными дефектами

В. В. Козловскийa, А. А. Лебедевbc, К. С. Давыдовскаяb, Ю. В. Любимоваd

a Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
d Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
PDF полного текста (231 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.12.46770.8914
Аннотация: Проведено исследование JBS диодов на основе 4H-SiC, облученных электронами и протонами. Исследования проводились методами вольт-фарадных и вольт-амперных характеристик. Сделан вывод, что при обоих типах облучения происходит образование глубоких центров в верхней половине запрещенной зоны карбида кремния. Это приводит к резкому уменьшению концентрации ионизованных носителей заряда в зоне проводимости и экспоненциальному росту сопротивления базовых областей исследованных структур.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 16-12-10106
Настоящая работа выполнена при поддержке гранта РНФ № 16-12-10106.
Поступила в редакцию: 15.05.2018
Принята в печать: 21.05.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 12, Pages 1635–1637
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618120138
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. В. Козловский, А. А. Лебедев, К. С. Давыдовская, Ю. В. Любимова, “Гальванические и емкостные эффекты при компенсации проводимости $n$-SiC радиационными дефектами”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1532–1534; Semiconductors, 52:12 (2018), 1635–1637
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KozLebDav18}
\by В.~В.~Козловский, А.~А.~Лебедев, К.~С.~Давыдовская, Ю.~В.~Любимова
\paper Гальванические и емкостные эффекты при компенсации проводимости $n$-SiC радиационными дефектами
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 12
\pages 1532--1534
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5673}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.12.46770.8914}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36903648}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 12
\pages 1635--1637
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618120138}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5673
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i12/p1532
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:36
    PDF полного текста:16
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024