|
Эта публикация цитируется в 10 научных статьях (всего в 10 статьях)
XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018 г.
Биполярная остаточная фотопроводимость в гетероструктурах HgTe/CdHgTe (013) с двойными квантовыми ямами
К. Е. Спиринa, Д. М. Гапоноваa, К. В. Маремьянинa, В. В. Румянцевa, В. И. Гавриленкоa, Н. Н. Михайловb, С. А. Дворецкийb a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
Аннотация:
Исследовались эффекты остаточной фотопроводимости в гетероструктурах HgTe/CdHgTe (013) с двойными квантовыми ямами при $T$ = 4.2 K. Показано, что остаточная фотопроводимость в данной системе имеет биполярный характер, т. е. присутствует как положительная, так и отрицательная остаточная фотопроводимость в зависимости от длины волны подсветки.
Поступила в редакцию: 25.04.2018 Принята в печать: 07.05.2018
Образец цитирования:
К. Е. Спирин, Д. М. Гапонова, К. В. Маремьянин, В. В. Румянцев, В. И. Гавриленко, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, “Биполярная остаточная фотопроводимость в гетероструктурах HgTe/CdHgTe (013) с двойными квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1482–1485; Semiconductors, 52:12 (2018), 1586–1589
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5664 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i12/p1482
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 38 | PDF полного текста: | 9 |
|