Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 12, страницы 1482–1485
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.12.46761.41 (Mi phts5664) 		 
Эта публикация цитируется в 10 научных статьях (всего в 10 статьях)

XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018 г.

Биполярная остаточная фотопроводимость в гетероструктурах HgTe/CdHgTe (013) с двойными квантовыми ямами

К. Е. Спиринa, Д. М. Гапоноваa, К. В. Маремьянинa, В. В. Румянцевa, В. И. Гавриленкоa, Н. Н. Михайловb, С. А. Дворецкийb

a Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
PDF полного текста (293 kB) Список цитирования (10)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.12.46761.41
Аннотация: Исследовались эффекты остаточной фотопроводимости в гетероструктурах HgTe/CdHgTe (013) с двойными квантовыми ямами при $T$ = 4.2 K. Показано, что остаточная фотопроводимость в данной системе имеет биполярный характер, т. е. присутствует как положительная, так и отрицательная остаточная фотопроводимость в зависимости от длины волны подсветки.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 0035-2014-0201
МК-4399.2018.2
Российский фонд фундаментальных исследований 16-02-00672
Работа выполнена в рамках выполнения государственного задания ИФМ РАН, тема 0035-2014-0201, при частичной поддержке РФФИ (№ 16-02-00672). Характеризация и уточнение параметров структур выполнены при поддержке гранта Президента Российской Федерации для государственной поддержки молодых российских ученых – кандидатов наук МК-4399.2018.2.
Поступила в редакцию: 25.04.2018
Принята в печать: 07.05.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 12, Pages 1586–1589
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618120230
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: К. Е. Спирин, Д. М. Гапонова, К. В. Маремьянин, В. В. Румянцев, В. И. Гавриленко, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, “Биполярная остаточная фотопроводимость в гетероструктурах HgTe/CdHgTe (013) с двойными квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1482–1485; Semiconductors, 52:12 (2018), 1586–1589
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SpiGapMar18}
\by К.~Е.~Спирин, Д.~М.~Гапонова, К.~В.~Маремьянин, В.~В.~Румянцев, В.~И.~Гавриленко, Н.~Н.~Михайлов, С.~А.~Дворецкий
\paper Биполярная остаточная фотопроводимость в гетероструктурах HgTe/CdHgTe (013) с двойными квантовыми ямами
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 12
\pages 1482--1485
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5664}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.12.46761.41}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36903638}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 12
\pages 1586--1589
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618120230}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5664
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i12/p1482
    • Эта публикация цитируется в следующих 10 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:38
    PDF полного текста:9
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024