Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 12, страницы 1460–1463
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.12.46757.36 (Mi phts5660) 		 
XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018 г.

Фотоприемники с активной областью InGaAs и метаморфным буферным слоем InGaP, выращенные на подложках GaAs

И. В. Самарцевa, С. М. Некоркинa, Б. Н. Звонковa, В. Я. Алешкинb, А. А. Дубиновb, И. Ю. Пашенькинab, Н. В. Дикареваa, А. Б. Чигиневаa

a Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, г. Нижний Новгород
b Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
PDF полного текста (273 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.12.46757.36
Аннотация: Приводятся результаты исследований обратных темновых токов фотодиодов на длину волны 1.06 мкм, выращенных на подложках GaAs с помощью метаморфного буферного слоя InGaP. Разработана технология выращивания методом МОС-гидридной эпитаксии метаморфных буферных слоев InGaP со ступенчатым изменением состава. Изготовлены фотодиоды с диаметром фоточувствительной площадки 1 мм и входом излучения через подложку. Темновой ток фотодиодов при комнатной температуре и обратном смещении -3 В составил 50 нА. Предполагается, что объемная составляющая темнового тока обусловлена механизмом туннелирования через уровни ловушек.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 16.7443.2017/БЧ
Работа выполнена в рамках государственного задания № 16.7443.2017/БЧ.
Поступила в редакцию: 25.04.2018
Принята в печать: 07.05.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 12, Pages 1564–1567
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618120205
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: И. В. Самарцев, С. М. Некоркин, Б. Н. Звонков, В. Я. Алешкин, А. А. Дубинов, И. Ю. Пашенькин, Н. В. Дикарева, А. Б. Чигинева, “Фотоприемники с активной областью InGaAs и метаморфным буферным слоем InGaP, выращенные на подложках GaAs”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1460–1463; Semiconductors, 52:12 (2018), 1564–1567
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SamNekZvo18}
\by И.~В.~Самарцев, С.~М.~Некоркин, Б.~Н.~Звонков, В.~Я.~Алешкин, А.~А.~Дубинов, И.~Ю.~Пашенькин, Н.~В.~Дикарева, А.~Б.~Чигинева
\paper Фотоприемники с активной областью InGaAs и метаморфным буферным слоем InGaP, выращенные на подложках GaAs
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 12
\pages 1460--1463
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5660}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.12.46757.36}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36903634}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 12
\pages 1564--1567
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618120205}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5660
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i12/p1460
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:38
    PDF полного текста:16
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024