|
XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018 г.
Связь электронных свойств квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией, с их структурой
А. П. Горшковa, Н. С. Волковаb, Д. А. Павловa, Ю. В. Усовa, Л. А. Истоминb, С. Б. Левичевb a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Научно-исследовательский институт химии при Нижегородском государственном университете им. Н. И. Лобачевского
Аннотация:
Основываясь на комплексном исследовании структурных и электронных свойств квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией при атмосферном давлении, выбрана модель их строения в виде трех сопряженных основаниями усеченных пирамид, учитывающая диффузионное размытие состава со стороны основания и боковой поверхности, а также сегрегацию индия вблизи вершины. Установлено, что волновые функции носителей в основном состоянии локализованы в сравнительно небольшой области квантовой точки вблизи ее вершины.
Поступила в редакцию: 25.04.2018 Принята в печать: 07.05.2018
Образец цитирования:
А. П. Горшков, Н. С. Волкова, Д. А. Павлов, Ю. В. Усов, Л. А. Истомин, С. Б. Левичев, “Связь электронных свойств квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией, с их структурой”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1421–1424; Semiconductors, 52:12 (2018), 1525–1528
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5653 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i12/p1421
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 39 | PDF полного текста: | 9 |
|