Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 12, страницы 1421–1424
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.12.46750.29 (Mi phts5653) 		 
XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018 г.

Связь электронных свойств квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией, с их структурой

А. П. Горшковa, Н. С. Волковаb, Д. А. Павловa, Ю. В. Усовa, Л. А. Истоминb, С. Б. Левичевb

a Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского
b Научно-исследовательский институт химии при Нижегородском государственном университете им. Н. И. Лобачевского
PDF полного текста (392 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.12.46750.29
Аннотация: Основываясь на комплексном исследовании структурных и электронных свойств квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией при атмосферном давлении, выбрана модель их строения в виде трех сопряженных основаниями усеченных пирамид, учитывающая диффузионное размытие состава со стороны основания и боковой поверхности, а также сегрегацию индия вблизи вершины. Установлено, что волновые функции носителей в основном состоянии локализованы в сравнительно небольшой области квантовой точки вблизи ее вершины.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 4.8337.2017/БЧ
Работа выполнена при поддержке государственного задания Министерства образования и науки РФ (4.8337.2017/БЧ).
Поступила в редакцию: 25.04.2018
Принята в печать: 07.05.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 12, Pages 1525–1528
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618120096
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. П. Горшков, Н. С. Волкова, Д. А. Павлов, Ю. В. Усов, Л. А. Истомин, С. Б. Левичев, “Связь электронных свойств квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией, с их структурой”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1421–1424; Semiconductors, 52:12 (2018), 1525–1528
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GorVolPav18}
\by А.~П.~Горшков, Н.~С.~Волкова, Д.~А.~Павлов, Ю.~В.~Усов, Л.~А.~Истомин, С.~Б.~Левичев
\paper Связь электронных свойств квантовых точек InAs/GaAs, выращенных газофазной эпитаксией, с их структурой
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 12
\pages 1421--1424
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5653}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.12.46750.29}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36903626}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 12
\pages 1525--1528
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618120096}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5653
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i12/p1421
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:39
    PDF полного текста:9
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024