Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 13, страницы 1675–1682
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.13.46886.8938
(Mi phts5648)
 

Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Новые технологические подходы к созданию текстур и согласованию термического расширения в дизайне высокоэффективных кремниевых солнечных фотопреобразователей

С. Е. Никитинa, А. В. Бобыльab, Н. Р. Авезоваc, Е. И. Теруковa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
c Физико-технический институт НПО "Физика-Солнце" АН РУз, Ташкент, Узбекистан
Аннотация: Рассмотрены причины отказов высокоэффективных кремниевых солнечных фотопреобразователей. Около 30% отказов происходит из-за образования трещин в кремниевых пластинах и электродах. Механические напряжения, приводящие к образованию трещин, связаны с пирамидальной геометрией текстуры и разностью теплового расширения материалов конструкции. Описана новая методика текстурирования кремния, где функцию зародышей текстуры выполняют преципитаты SiO$_{x}$, что позволяет получать поверхность состоящую из вогнутых сфероидов cубмикронных размеров, резко уменьшающую отражение в области длин волн 330–550 нм. Предложен способ согласования теплового расширения элементов конструкции фотопреобразователей с использованием согласующих слоев железоникелевых сплавов, что дает существенное уменьшение вероятности отказов по механизму образования трещин в кремниевых пластинах и отслаивания электродов.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 18-58-41005
Работа выполнена при поддержке РФФИ гранта 18-58-41005.
Поступила в редакцию: 18.06.2018
Принята в печать: 06.07.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 13, Pages 1782–1789
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618130134
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. Е. Никитин, А. В. Бобыль, Н. Р. Авезова, Е. И. Теруков, “Новые технологические подходы к созданию текстур и согласованию термического расширения в дизайне высокоэффективных кремниевых солнечных фотопреобразователей”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1675–1682; Semiconductors, 52:13 (2018), 1782–1789
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{NikBobAve18}
\by С.~Е.~Никитин, А.~В.~Бобыль, Н.~Р.~Авезова, Е.~И.~Теруков
\paper Новые технологические подходы к созданию текстур и согласованию термического расширения в дизайне высокоэффективных кремниевых солнечных фотопреобразователей
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 13
\pages 1675--1682
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5648}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.13.46886.8938}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36903673}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 13
\pages 1782--1789
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618130134}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5648
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i13/p1675
  • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:30
    PDF полного текста:25
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024