Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 13, страницы 1631–1635
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.13.46878.8858 (Mi phts5640) 		 
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

О влиянии параметров топологии транзистора с каналом в форме плавника на деградацию, вызываемую горячими носителями

С. Э. Тягиновab, А. А. Макаровa, B. Kaczerc, M. Jecha, A. Chasinc, A. Grilla, G. Hellingsc, М. И. Векслерb, D. Lintenc, T. Grassera

a TU Vienna, Institute for Microelectronics, Vienna, Austria
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c IMEC, Leuven, Belgium
PDF полного текста (186 kB) Список цитирования (3)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.13.46878.8858
Аннотация: Проведено теоретическое исследование влияния параметров геометрии транзистора с каналом в форме плавника (FinFET) на интенсивность деградации, вызываемой горячими носителями (ДВГН). Для этого использована модель, в рамках которой рассматриваются три подзадачи, составляющие физическую картину ДВГН: транспорт носителей заряда в полупроводниковых структурах, описание микроскопических механизмов формирования дефектов и моделирование характеристик деградировавших приборов. В процессе анализа варьируются длина затвора, а также ширина и высота канала. Показано, что при фиксированных условиях стрессового воздействия интенсивность ДВГН повышается в транзисторах с более коротким или более широким каналом, а высота канала не оказывает существенного влияния на протекание ДВГН. Данная информация может оказаться полезной для оптимизации архитектуры транзисторов обсуждаемой топологии с целью подавления деградационных эффектов.
Поступила в редакцию: 12.03.2018
Принята в печать: 16.04.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 13, Pages 1738–1742
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618130183
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. Э. Тягинов, А. А. Макаров, B. Kaczer, M. Jech, A. Chasin, A. Grill, G. Hellings, М. И. Векслер, D. Linten, T. Grasser, “О влиянии параметров топологии транзистора с каналом в форме плавника на деградацию, вызываемую горячими носителями”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1631–1635; Semiconductors, 52:13 (2018), 1738–1742
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TyaMakKac18}
\by С.~Э.~Тягинов, А.~А.~Макаров, B.~Kaczer, M.~Jech, A.~Chasin, A.~Grill, G.~Hellings, М.~И.~Векслер, D.~Linten, T.~Grasser
\paper О влиянии параметров топологии транзистора с каналом в форме плавника на деградацию, вызываемую горячими носителями
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 13
\pages 1631--1635
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5640}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.13.46878.8858}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36903665}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 13
\pages 1738--1742
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618130183}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5640
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i13/p1631
    • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:37
    PDF полного текста:12
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024