Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 13, страницы 1625–1630
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.13.46877.8875
(Mi phts5639)
 

Физика полупроводниковых приборов

Накопление зарядов в МОП-структурах с поликремниевым затвором при туннельной инжекции

О. В. Александров, А. Н. Агеев, С. И. Золотарев

Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
Аннотация: Изучено накопление зарядов в МОП-структурах с легированным и нелегированным поликремниевым затвором с Al-контактами и без них при тунннельной инжекции электронов из затвора и из кремниевой подложки. Показано, что независимо от полярности инжекции вблизи поликремниевого затвора накапливается отрицательный заряд, а вблизи кремниевой подложки положительный. При больших зарядах инжекции вблизи кремниевой подложки также появляется отрицательный заряд. Результаты описаны с помощью численной модели, в которой учтено образование электронных ловушек при нанесении Al-контактов и генерация электронных ловушек при рекомбинации свободных электронов с захваченными на ловушки дырками.
Поступила в редакцию: 27.03.2018
Принята в печать: 10.04.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 13, Pages 1732–1737
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618130031
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: О. В. Александров, А. Н. Агеев, С. И. Золотарев, “Накопление зарядов в МОП-структурах с поликремниевым затвором при туннельной инжекции”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1625–1630; Semiconductors, 52:13 (2018), 1732–1737
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AleAgeZol18}
\by О.~В.~Александров, А.~Н.~Агеев, С.~И.~Золотарев
\paper Накопление зарядов в МОП-структурах с поликремниевым затвором при туннельной инжекции
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 13
\pages 1625--1630
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5639}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.13.46877.8875}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36903664}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 13
\pages 1732--1737
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618130031}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5639
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i13/p1625
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024