|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Электронные свойства полупроводников
Измерение подвижности носителей заряда в арсениде галлия с помощью ближнеполевого сверхвысокочастотного микроскопа методом сверхвысокочастотного магнитосопротивления
Д. А. Усанов, А. Э. Постельга, А. А. Калямин, И. В. Шаров Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н. Г. Чернышевского
Аннотация:
Показана возможность бесконтактного неразрушающего локального измерения сверхвысокочастотной подвижности носителей заряда в арсениде галлия при помощи ближнеполевого сканирующего сверхвысокочастотного микроскопа с использованием эффекта сверхвысокочастотного магнитосопротивления. Отмечается необходимость учета при обработке результатов измерений влияния эффекта смещения сверхвысокочастотного поля.
Поступила в редакцию: 16.04.2018 Принята в печать: 24.04.2018
Образец цитирования:
Д. А. Усанов, А. Э. Постельга, А. А. Калямин, И. В. Шаров, “Измерение подвижности носителей заряда в арсениде галлия с помощью ближнеполевого сверхвысокочастотного микроскопа методом сверхвысокочастотного магнитосопротивления”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018), 1570–1572; Semiconductors, 52:13 (2018), 1669–1671
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5629 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i13/p1570
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 42 | PDF полного текста: | 16 |
|