Особенности подвижности электронов в слоистом полупроводнике $n$-InSe

Экспериментально исследованы зависимости холловской подвижности электронов от технологической предыстории изучаемого образца, температуры, электрического поля, легирования и воздействия света в выращенных видоизмененным методом Бриджмена монокристаллах $n$-InSe. Установлено, что в области температур ниже комнатной зависимости подвижности электронов от внешних факторов, исходного удельного сопротивления и легирования имеют аномальный, т. е. не подчиняющийся теории о подвижности свободных носителей заряда в квазиупорядоченных кристаллических полупроводниках, характер. Предполагалось, что эти аномалии обусловлены частичной неупорядоченностью и флуктуацией потенциала свободных энергетических зон монокристаллов $n$-InSe и могут управляться температурой, электрическим полем, легированием и воздействием света.