Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 1, страницы 111–114
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.01.46997.8881
(Mi phts5621)
 

Физика полупроводниковых приборов

Дифференциальные уравнения для восстановления производной безгистерезисной нелинейной вольт-амперной характеристики полупроводниковой структуры

Н. Д. Кузьмичев, М. А. Васютин

Мордовский государственный университет имени Н. П. Огарева, г. Саранск
Аннотация: Изучена последовательность неоднородных дифференциальных уравнений для восстановления производной нелинейной вольт-амперной характеристики, правой частью которых является экспериментально полученная зависимость напряжения первой гармоники от постоянного тока. Такое напряжение возникает, например, на выходе нелинейной полупроводниковой структуры при одновременном пропускании через нее переменного и постоянного токов. На основе численных решений дифференциальных уравнений разработанная методика применена для восстановления производной вольт-амперной характеристики двух $p$$n$-переходов, включенных антипараллельно.
Поступила в редакцию: 05.04.2018
Исправленный вариант: 25.06.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 1, Pages 106–109
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619010135
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. Д. Кузьмичев, М. А. Васютин, “Дифференциальные уравнения для восстановления производной безгистерезисной нелинейной вольт-амперной характеристики полупроводниковой структуры”, Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019), 111–114; Semiconductors, 53:1 (2019), 106–109
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KuzVas19}
\by Н.~Д.~Кузьмичев, М.~А.~Васютин
\paper Дифференциальные уравнения для восстановления производной безгистерезисной нелинейной вольт-амперной характеристики полупроводниковой структуры
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 1
\pages 111--114
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5621}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.01.46997.8881}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37476656}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 1
\pages 106--109
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619010135}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5621
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i1/p111
  • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:45
    PDF полного текста:19
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024