Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 1, страницы 93–100
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.01.46994.8871 (Mi phts5618) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Физика полупроводниковых приборов

Влияние отжига во фреоне на кристаллическую структуру слоев теллурида кадмия и эффективность пленочных фотоэлектрических преобразователей на их основе

Г. С. Хрипунов, А. В. Мериуц, Т. Н. Шелест, М. Г. Хрипунов

Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт"
PDF полного текста (554 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.01.46994.8871
Аннотация: Исследованы фотоэлектрические преобразователи на основе базовых слоев теллурида кадмия, полученных методом термического испарения и сублимацией в замкнутом объеме. Для активации базовых слоев использован отжиг в парах фреона. Проведены структурные и морфологические исследования для сравнения рекристаллизационных процессов, происходящих в процессе отжига в слоях теллурида кадмия, полученных разными методами. Исследованы выходные параметры и световые диодные характеристики фотоэлектрических преобразователей и проанализирована возможность применения отжига в парах фреона при создании промышленной технологии получения пленочных фотоэлектрических преобразователей на основе CdS/CdTе с использованием термических методов формирования базовых слоев.
Поступила в редакцию: 22.03.2018
Исправленный вариант: 10.04.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 1, Pages 89–95
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619010111
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Г. С. Хрипунов, А. В. Мериуц, Т. Н. Шелест, М. Г. Хрипунов, “Влияние отжига во фреоне на кристаллическую структуру слоев теллурида кадмия и эффективность пленочных фотоэлектрических преобразователей на их основе”, Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019), 93–100; Semiconductors, 53:1 (2019), 89–95
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KhrMerShe19}
\by Г.~С.~Хрипунов, А.~В.~Мериуц, Т.~Н.~Шелест, М.~Г.~Хрипунов
\paper Влияние отжига во фреоне на кристаллическую структуру слоев теллурида кадмия и эффективность пленочных фотоэлектрических преобразователей на их основе
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 1
\pages 93--100
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5618}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.01.46994.8871}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37476622}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 1
\pages 89--95
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619010111}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5618
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i1/p93
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:43
    PDF полного текста:30
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024