Фотоэлектромагнитный эффект, индуцированный терагерцовым излучением, в топологических изоляторах (Bi$_{1-x}$Sb$_{x}$)$_{2}$Te$_{3}$

На основании анализа фотоэлектромагнитного эффекта в трехмерных топологических изоляторах (Bi$_{1-x}$Sb$_{x}$)$_{2}$Te$_{3}$ (0 $\le x\le$ 0.55) сделана оценка подвижности поверхностных носителей заряда. Высокая степень вырождения газа носителей в сочетании с низкой энергией возбуждающего терагерцового кванта обеспечивали неравновесный процесс, связанный исключительно с тепловым разогревом носителей. В этих условиях фотоэдс определяется градиентом подвижности поверхностных и объемных носителей. Фотоэдс и, следовательно, градиент подвижности полностью исчезают при увеличении объемной подвижности до 10$^{5}$ см$^{2}$ $\cdot$ В$^{-1}$ $\cdot$ с$^{-1}$. В образцах со сравнительно низкой объемной подвижностью при тех же условиях эксперимента фотоэдс отчетливо наблюдается.