Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 1, страницы 32–40
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.01.46983.8886
(Mi phts5607)
 

Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Слоевое сопротивление TiAlNiAu тонкопленочной металлизации омических контактов к нитридным полупроводниковым структурам

Н. А. Торховabc

a Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов, Томск
b Томский институт автоматизированных систем управления и радиоэлектроники
c Томский государственный университет
Аннотация: Определена связь геометрии метрического пространства поверхности тонкопленочной металлической TiAlNiAu-системы с геометрией функционального пространства ее слоевых сопротивлений R$_{sq}$. На основе этого описан наблюдающийся в локальном приближении латеральный размерный эффект, который проявляется в зависимости слоевого сопротивления $R_{sq}$ металлической TiAlNiAu-пленки от ее латеральных (в плоскости $(x,y)$) линейных размеров. Зависимость $R_{sq}$ от линейных размеров определяется фрактальной геометрией образующих ее дендритов, а именно – степенной зависимостью изменения линейных размеров от фрактальной размерности $D_{f}$. Обнаруженная закономерность имеет важное практическое значение как для точного расчета значений $R_{sq}$ тонкопленочных металлических систем при проектировании дискретных приборов и интегральных микросхем, так и для контроля результатов технологических процессов получения тонких металлических пленок и систем на их основе на микронном и наноуровнях.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 14.578.21.0240
Работа выполнена при финансовой поддержке проекта “Исследования и разработки технологии изготовления сверхвысокочастотных монолитных интегральных схем на основе гетероструктур InAlN/GaN для изделий космического применения” (Соглашение № 14.578.21.0240 от 26.09.2017 г.) УИР RFMEFI 57817X240.
Поступила в редакцию: 10.04.2018
Исправленный вариант: 23.04.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 1, Pages 28–36
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619010226
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. А. Торхов, “Слоевое сопротивление TiAlNiAu тонкопленочной металлизации омических контактов к нитридным полупроводниковым структурам”, Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019), 32–40; Semiconductors, 53:1 (2019), 28–36
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Tor19}
\by Н.~А.~Торхов
\paper Слоевое сопротивление TiAlNiAu тонкопленочной металлизации омических контактов к нитридным полупроводниковым структурам
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 1
\pages 32--40
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5607}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.01.46983.8886}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37476601}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 1
\pages 28--36
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619010226}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5607
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i1/p32
  • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:29
    PDF полного текста:8
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024