Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 1, страницы 26–31
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.01.46982.8877 (Mi phts5606) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Поверхность, границы раздела, тонкие пленки

Нерезонансное обращение волнового фронта света на поверхности пленок GaN при большой мощности оптического возбуждения

А. Н. Грузинцев, А. Н. Редькин

Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Московская область, Россия
PDF полного текста (167 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.01.46982.8877
Аннотация: Теоретически и экспериментально показана возможность нерезонансного обращения волнового фронта света в возбужденной полупроводниковой среде. На эпитаксиальных пленках GaN при комнатной температуре при накачке азотным лазером впервые обнаружено индуцированное обращение волнового фронта света в видимой и инфракрасной областях спектра. Исследованы зависимости интенсивности сигнала обращения волнового фронта света от энергии фотона и интенсивности лазерной накачки. Предлагается объяснение эффекта: поглощение и преломление света на индуцированных лазером свободных носителях в полупроводниковой среде.
Поступила в редакцию: 29.03.2018
Исправленный вариант: 04.04.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 1, Pages 22–27
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261901010X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Н. Грузинцев, А. Н. Редькин, “Нерезонансное обращение волнового фронта света на поверхности пленок GaN при большой мощности оптического возбуждения”, Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019), 26–31; Semiconductors, 53:1 (2019), 22–27
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GruRed19}
\by А.~Н.~Грузинцев, А.~Н.~Редькин
\paper Нерезонансное обращение волнового фронта света на поверхности пленок GaN при большой мощности оптического возбуждения
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 1
\pages 26--31
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5606}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.01.46982.8877}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37476600}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 1
\pages 22--27
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261901010X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5606
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i1/p26
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025