Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 1, страницы 5–12
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.01.46979.8821 (Mi phts5603) 		 
Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Исследование влияния легирования железом на люминесценцию монокристаллов селенида цинка

А. А. Гладилинa, Н. Н. Ильичевa, В. П. Калинушкинa, М. И. Студеникинa, О. В. Уваровa, В. А. Чапнинa, В. В. Туморинa, Г. Г. Новиковb

a Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук, г. Москва
b Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
PDF полного текста (783 kB) Список цитирования (8)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.01.46979.8821
Аннотация: Исследовано влияние легирования железом (термодиффузия с поверхности) на люминесценцию монокристаллов селенида цинка в диапазоне длин волн 0.44–0.72 мкм и пространственное распределение центров люминесценции. Методом двухфотонной конфокальной микроскопии получены плоские" и объемные" карты краевой (экситонной) и примесно-дефектной люминесценции в указанном выше спектральном диапазоне, как в легированных, так и в нелегированных кристаллах. Показано, что области кристалла с высокой концентрацией железа имеют низкую интенсивность люминесценции в этом диапазоне. Обнаружено, что в процессе диффузии образуется несколько типов примесно-дефектных центров, распределение которых в объеме кристаллов носит сложный характер. Обсуждается природа этих центров.
Поступила в редакцию: 15.01.2018
Исправленный вариант: 19.01.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 1, Pages 1–8
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261901007X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Гладилин, Н. Н. Ильичев, В. П. Калинушкин, М. И. Студеникин, О. В. Уваров, В. А. Чапнин, В. В. Туморин, Г. Г. Новиков, “Исследование влияния легирования железом на люминесценцию монокристаллов селенида цинка”, Физика и техника полупроводников, 53:1 (2019), 5–12; Semiconductors, 53:1 (2019), 1–8
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GlaIliKal19}
\by А.~А.~Гладилин, Н.~Н.~Ильичев, В.~П.~Калинушкин, М.~И.~Студеникин, О.~В.~Уваров, В.~А.~Чапнин, В.~В.~Туморин, Г.~Г.~Новиков
\paper Исследование влияния легирования железом на люминесценцию монокристаллов селенида цинка
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 1
\pages 5--12
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5603}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.01.46979.8821}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37476597}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 1
\pages 1--8
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261901007X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5603
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i1/p5
    • Эта публикация цитируется в следующих 8 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:44
    PDF полного текста:12
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024