Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 2, страницы 277–280
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.02.47113.8906 (Mi phts5601) 		 
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Очистка от оксидов поверхности пластин полупроводника InSb для создания латеральных спиновых клапанов

Н. А. Виглин, И. В. Грибов, В. М. Цвелиховская, Е. И. Патраков

Институт физики металлов им. М.Н. Михеева УрО РАН, г. Екатеринбург
PDF полного текста (194 kB) Список цитирования (7)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.02.47113.8906
Аннотация: Изучались условия создания гладкой и освобожденной от оксидов поверхности полупроводника InSb с целью создания на его основе латеральных спиновых устройств. Исследовалась скорость сухого травления ионами Ar поверхности слоев кристаллических граней (100) пластин полупроводника InSb, а также изменение их шероховатости в зависимости от мощности подводимой к усройствам ионного травления. Оценивалась степень окисления поверхности полупроводника, экспонированного на воздухе после ионной чистки и отжига в молекулярном водороде. На основе сравнения эффективности спиновой инжекции в устройствах, созданных с полупроводниками, подвергшимися различной обработке, сделан вывод о параметрах оптимальной подготовки поверхности пластин InSb для изготовления латеральных спиновых устройств.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 14.Z50.31.0025
Российский фонд фундаментальных исследований 16-02-00044
Работа выполнена в рамках государственного задания ФАНО России (тема “Спин”, № АААА-А18-118020290104-2) при поддержке Министерства образования и науки РФ (грант 14.Z50.31.0025) и РФФИ (проект № 16-02-00044).
Поступила в редакцию: 14.05.2018
Исправленный вариант: 21.07.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 2, Pages 264–267
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619020258
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. А. Виглин, И. В. Грибов, В. М. Цвелиховская, Е. И. Патраков, “Очистка от оксидов поверхности пластин полупроводника InSb для создания латеральных спиновых клапанов”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 277–280; Semiconductors, 53:2 (2019), 264–267
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{VigGriTsv19}
\by Н.~А.~Виглин, И.~В.~Грибов, В.~М.~Цвелиховская, Е.~И.~Патраков
\paper Очистка от оксидов поверхности пластин полупроводника InSb для создания латеральных спиновых клапанов
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 2
\pages 277--280
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5601}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.02.47113.8906}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37476943}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 2
\pages 264--267
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619020258}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5601
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i2/p277
    • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:45
    PDF полного текста:19
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024