Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 2, страницы 267–272
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.02.47111.8933
(Mi phts5599)
 

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Влияние температуры фотонного отжига на структурные и оптические свойства пленок ZnO, синтезированных методом дуального магнетронного распыления

С. В. Зайцев, В. С. Ващилин, В. В. Колесник, М. В. Лимаренко, Д. С. Прохоренков, Е. И. Евтушенко

Белгородский государственный технологический университет имени В. Г. Шухова
Аннотация: Пленки ZnO толщиной 1.4 мкм осаждали на стеклянные подложки методом дуального магнетронного распыления мишеней Zn в газовой среде аргона и кислорода. Проведены исследования зависимости структурных и оптических характеристик пленок ZnO от температуры фотонного отжига после осаждения. Установлено что, повышение температуры отжига приводит к повышению степени кристалличности пленок. Электронная микроскопия показала, что осажденное покрытие ZnO имеет столбчатую структуру, причем отжиг увеличивает плотность микроструктуры и размер кристаллита. Обнаружено, что при температуре отжига 450–650$^\circ$C коэффициент оптического пропускания увеличился до значения $>$ 90% в спектральной области 400–1100 нм. Экспериментальные результаты показывают, что температура фотонного отжига в вакууме оказывает наибольшее влияние на конечные свойства покрытий ZnO.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 11.9329.2017/8.9
Работа выполнена в рамках государственного задания Министерства образования и науки РФ № 11.9329.2017/8.9.
Поступила в редакцию: 13.06.2018
Исправленный вариант: 06.07.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 2, Pages 255–259
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261902026X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. В. Зайцев, В. С. Ващилин, В. В. Колесник, М. В. Лимаренко, Д. С. Прохоренков, Е. И. Евтушенко, “Влияние температуры фотонного отжига на структурные и оптические свойства пленок ZnO, синтезированных методом дуального магнетронного распыления”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 267–272; Semiconductors, 53:2 (2019), 255–259
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ZaiVasKol19}
\by С.~В.~Зайцев, В.~С.~Ващилин, В.~В.~Колесник, М.~В.~Лимаренко, Д.~С.~Прохоренков, Е.~И.~Евтушенко
\paper Влияние температуры фотонного отжига на структурные и оптические свойства пленок ZnO, синтезированных методом дуального магнетронного распыления
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 2
\pages 267--272
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5599}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.02.47111.8933}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37476923}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 2
\pages 255--259
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261902026X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5599
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i2/p267
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:36
    PDF полного текста:12
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024